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參數(shù)資料
| 型號： | KMM53216004BKG |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 16M x 32 DRAM SIMM Using 16Mx4, 4K Refresh, 5V |
| 中文描述： | 1,600 × 32的DRAM上海藥物研究所利用16Mx4，4K的刷新，5V的 |
| 文件頁數(shù)： | 10/21頁 |
| 文件大?。?/td> | 445K |
| 代理商： | KMM53216004BKG |
DRAM MODULE
KMM53216004CK/CKG
NOTE : D
OUT
= OPEN
WRITE CYCLE ( OE CONTROLLED WRITE )
RAS
V
IH
-
V
IL
-
A
V
IH
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V
IL
-
W
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DATA-IN
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KMM53216004CKG | 16M x 32 DRAM SIMM Using 16Mx4, 4K Refresh, 5V |
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| KMM5322200C2W | 2M x 32 DRAM SIMM using 1Mx16, 1K Refresh, 5V |
| KMM5322200C2WG | 2M x 32 DRAM SIMM using 1Mx16, 1K Refresh, 5V |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KMM53216004CK | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16M x 32 DRAM SIMM Using 16Mx4, 4K Refresh, 5V |
| KMM53216004CKG | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16M x 32 DRAM SIMM Using 16Mx4, 4K Refresh, 5V |
| KMM5322104CKU | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2M x 32 DRAM SIMM using 2Mx8 , 2K Refresh, 5V |
| KMM5322104CKUG | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2M x 32 DRAM SIMM using 2Mx8 , 2K Refresh, 5V |
| KMM5322200C2W | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2M x 32 DRAM SIMM using 1Mx16, 1K Refresh, 5V |
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