參數(shù)資料
型號: KMM53216004BKG
廠商: SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述: 16M x 32 DRAM SIMM Using 16Mx4, 4K Refresh, 5V
中文描述: 1,600 × 32的DRAM上海藥物研究所利用16Mx4,4K的刷新,5V的
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代理商: KMM53216004BKG
DRAM MODULE
KMM53216004CK/CKG
HIDDEN REFRESH CYCLE ( READ )
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
KMM53216004CKG 16M x 32 DRAM SIMM Using 16Mx4, 4K Refresh, 5V
KMM5322104CKU 2M x 32 DRAM SIMM using 2Mx8 , 2K Refresh, 5V
KMM5322104CKUG 2M x 32 DRAM SIMM using 2Mx8 , 2K Refresh, 5V
KMM5322200C2W 2M x 32 DRAM SIMM using 1Mx16, 1K Refresh, 5V
KMM5322200C2WG 2M x 32 DRAM SIMM using 1Mx16, 1K Refresh, 5V
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參數(shù)描述
KMM53216004CK 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16M x 32 DRAM SIMM Using 16Mx4, 4K Refresh, 5V
KMM53216004CKG 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16M x 32 DRAM SIMM Using 16Mx4, 4K Refresh, 5V
KMM5322104CKU 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2M x 32 DRAM SIMM using 2Mx8 , 2K Refresh, 5V
KMM5322104CKUG 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2M x 32 DRAM SIMM using 2Mx8 , 2K Refresh, 5V
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