參數(shù)資料
型號: KMM53216004CKG
廠商: SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述: 16M x 32 DRAM SIMM Using 16Mx4, 4K Refresh, 5V
中文描述: 1,600 × 32的DRAM上海藥物研究所利用16Mx4,4K的刷新,5V的
文件頁數(shù): 15/21頁
文件大?。?/td> 445K
代理商: KMM53216004CKG
DRAM MODULE
KMM53216004CK/CKG
HYPER PAGE READ AND WRITE MIXED CYCLE
RAS
V
IH
-
V
IL
-
CAS
V
IH
-
V
IL
-
A
V
IH
-
V
IL
-
W
V
IH
-
V
IL
-
OE
V
IH
-
V
IL
-
COLUMN
ADDRESS
ROW
ADDR
t
RASP
t
RP
Don
t care
Undefined
V
I/OH
-
V
I/OL
-
DQ
t
WEZ
t
CP
t
CP
t
HPC
t
HPC
t
HPC
t
RAD
t
RAH
t
ASC
t
CAH
t
CAH
t
CAH
t
ASC
t
CAH
t
RCH
t
RCS
t
RCS
t
RCH
t
ASC
COLUMN
ADDRESS
COL.
ADDR
VALID
DATA-OUT
t
REZ
t
AA
t
WCS
VALID
DATA-OUT
VALID
DATA-OUT
VALID
DATA-IN
t
RAC
COL.
ADDR
t
CAS
t
ASR
t
CAS
t
CAS
t
CAS
t
ASC
t
CP
t
RCH
t
WCH
t
WPE
t
CLZ
t
CPA
t
WED
t
AA
t
WEZ
t
DS
t
DH
t
CAC
t
OEA
READ(
t
CAC
)
READ(
t
CPA
)
WRITE
READ(
t
AA
)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KMM5322104CKU 2M x 32 DRAM SIMM using 2Mx8 , 2K Refresh, 5V
KMM5322104CKUG 2M x 32 DRAM SIMM using 2Mx8 , 2K Refresh, 5V
KMM5322200C2W 2M x 32 DRAM SIMM using 1Mx16, 1K Refresh, 5V
KMM5322200C2WG 2M x 32 DRAM SIMM using 1Mx16, 1K Refresh, 5V
KMM5322204C2W 2M x 32 DRAM SIMM using 1Mx16 , 1K Refresh, 5V
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
KMM5322104CKU 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2M x 32 DRAM SIMM using 2Mx8 , 2K Refresh, 5V
KMM5322104CKUG 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2M x 32 DRAM SIMM using 2Mx8 , 2K Refresh, 5V
KMM5322200C2W 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2M x 32 DRAM SIMM using 1Mx16, 1K Refresh, 5V
KMM5322200C2WG 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2M x 32 DRAM SIMM using 1Mx16, 1K Refresh, 5V
KMM5322204C2W 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2M x 32 DRAM SIMM using 1Mx16 , 1K Refresh, 5V