參數(shù)資料
型號(hào)： KMM53216004CKG
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 16M x 32 DRAM SIMM Using 16Mx4, 4K Refresh, 5V
中文描述： 1,600 × 32的DRAM上海藥物研究所利用16Mx4，4K的刷新，5V的
文件頁(yè)數(shù)： 4/21頁(yè)
文件大?。?/td> 445K
代理商： KMM53216004CKG
DRAM MODULE
KMM53216004CK/CKG
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM
CAS
RAS
OE
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
W A0-A11
CAS0
RAS0
U0
Vcc
Vss
0.1 or 0.22uF Capacitor
for each DRAM
CAS
RAS
OE
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
W A0-A11
U1
CAS
RAS
OE
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
W A0-A11
U2
CAS
RAS
OE
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
W A0-A11
U3
CAS
RAS
OE
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
W A0-A11
U4
CAS
RAS
OE
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
W A0-A11
U5
CAS
RAS
OE
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
W A0-A11
U6
CAS
RAS
OE
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
W A0-A11
U7
To all DRAMs
CAS1
CAS2
RAS2
CAS3
W
A0-A11
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ12
DQ15
DQ16
DQ18
DQ19
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
DQ24
DQ25
DQ27
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
DQ32
DQ33
DQ34
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KMM5322104CKU 2M x 32 DRAM SIMM using 2Mx8 , 2K Refresh, 5V
KMM5322104CKUG 2M x 32 DRAM SIMM using 2Mx8 , 2K Refresh, 5V
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KMM5322200C2WG 2M x 32 DRAM SIMM using 1Mx16, 1K Refresh, 5V
KMM5322204C2W 2M x 32 DRAM SIMM using 1Mx16 , 1K Refresh, 5V
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參數(shù)描述
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