- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄373166 > KMM53216004CKG (SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.) 16M x 32 DRAM SIMM Using 16Mx4, 4K Refresh, 5V PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | KMM53216004CKG |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 16M x 32 DRAM SIMM Using 16Mx4, 4K Refresh, 5V |
| 中文描述： | 1,600 × 32的DRAM上海藥物研究所利用16Mx4，4K的刷新，5V的 |
| 文件頁數(shù)： | 16/21頁 |
| 文件大?。?/td> | 445K |
| 代理商： | KMM53216004CKG |
DRAM MODULE
KMM53216004CK/CKG
Don
′
t care
RAS - ONLY REFRESH CYCLE*
NOTE : W, OE, D
IN
= Don
′
t care
Undefined
D
OUT
= OPEN
RAS
V
IH
-
V
IL
-
CAS
V
IH
-
V
IL
-
A
V
IH
-
V
IL
-
ROW
ADDR
t
RC
t
RP
t
ASR
t
CRP
t
RAS
t
RAH
t
RPC
t
CRP
OPEN
CAS - BEFORE - RAS REFRESH CYCLE
NOTE : OE , A = Don
′
t care
RAS
V
IH
-
V
IL
-
CAS
V
IH
-
V
IL
-
t
RC
t
RP
t
RAS
t
RPC
t
CP
t
RPC
t
CSR
t
CHR
t
CEZ
V
OH
-
V
OL
-
DQ
t
WRP
t
WRH
W
V
IH
-
V
IL
-
t
RP
* In RAS-only refresh cycle of 64Mb A-dile & B-die, when CAS signal transits from Low to High, the valid data may be cut off.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KMM5322104CKU | 2M x 32 DRAM SIMM using 2Mx8 , 2K Refresh, 5V |
| KMM5322104CKUG | 2M x 32 DRAM SIMM using 2Mx8 , 2K Refresh, 5V |
| KMM5322200C2W | 2M x 32 DRAM SIMM using 1Mx16, 1K Refresh, 5V |
| KMM5322200C2WG | 2M x 32 DRAM SIMM using 1Mx16, 1K Refresh, 5V |
| KMM5322204C2W | 2M x 32 DRAM SIMM using 1Mx16 , 1K Refresh, 5V |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KMM5322104CKU | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2M x 32 DRAM SIMM using 2Mx8 , 2K Refresh, 5V |
| KMM5322104CKUG | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2M x 32 DRAM SIMM using 2Mx8 , 2K Refresh, 5V |
| KMM5322200C2W | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2M x 32 DRAM SIMM using 1Mx16, 1K Refresh, 5V |
| KMM5322200C2WG | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2M x 32 DRAM SIMM using 1Mx16, 1K Refresh, 5V |
| KMM5322204C2W | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2M x 32 DRAM SIMM using 1Mx16 , 1K Refresh, 5V |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。