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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | KMM5322200C2W |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 2M x 32 DRAM SIMM using 1Mx16, 1K Refresh, 5V |
| 中文描述： | 200萬× 32的DRAM上海藥物研究所使用1Mx16，每1000刷新，5V的 |
| 文件頁數(shù)： | 4/17頁 |
| 文件大小： | 280K |
| 代理商： | KMM5322200C2W |
DRAM MODULE
KMM5322200C2W/C2WG
Rev. 0.0 (Nov. 1997)
- 4 -
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM
Vcc
Vss
.1 or .22uF Capacitor
for each DRAM
To all DRAMs
RAS0
W
A0-A9
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
W
A0-A9
CAS0
CAS1
DQ0
DQ1
DQ2
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DQ12
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W
A0-A9
CAS2
CAS3
RAS1
DQ0
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W
A0-A9
CAS0
CAS1
DQ0
DQ1
DQ2
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DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
W
A0-A9
CAS2
CAS3
U0
U2
U1
U3
RAS
LCAS
UCAS
OE
RAS
LCAS
UCAS
OE
RAS
LCAS
UCAS
OE
RAS
LCAS
UCAS
OE
DQ0-DQ15
DQ16-DQ31
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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