參數(shù)資料
型號: KMM53232004BV
廠商: SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述: 32M x 32 DRAM SIMM(32M x 32 動態(tài) RAM模塊)
中文描述: 32M的內(nèi)存上海藥物研究所× 32(32兆× 32動態(tài)內(nèi)存模塊)
文件頁數(shù): 3/20頁
文件大?。?/td> 400K
代理商: KMM53232004BV
DRAM MODULE
KMM53232004BV/BVG
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM
CAS
RAS
OE
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
W A0-A11
CAS0
RAS0
U0
Vcc
Vss
0.1 or 0.22uF Capacitor
for each DRAM
CAS
RAS
OE
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
W A0-A11
U1
CAS
RAS
OE
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
W A0-A11
U2
CAS
RAS
OE
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
W A0-A11
U3
CAS
RAS
OE
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
W A0-A11
U4
CAS
RAS
OE
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
W A0-A11
U5
CAS
RAS
OE
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
W A0-A11
U6
CAS
RAS
OE
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
W A0-A11
U7
To all DRAMs
CAS1
CAS2
RAS2
CAS3
W
A0-A11
CAS
RAS
OE
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
WA0-A11
CAS0
RAS1
U8
CAS
RAS
OE
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
WA0-A11
U9
CAS
RAS
OE
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
WA0-A11
U10
CAS
RAS
OE
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
WA0-A11
U11
CAS
RAS
OE
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
WA0-A11
U12
CAS
RAS
OE
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
WA0-A11
U13
CAS
RAS
OE
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
WA0-A11
U14
CAS
RAS
OE
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
WA0-A11
U15
CAS1
CAS2
RAS3
CAS3
DQ0~DQ3
DQ4~DQ7
DQ9~DQ10
DQ13~DQ16
DQ18~DQ21
DQ22~DQ25
DQ27~DQ30
DQ31~DQ34
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KMM5324000BSW 4M x 32 DRAM SIMM(4M x 32 動態(tài) RAM模塊)
KMM5324004BSW 4M x 32 DRAM SIMM(4M x 32 動態(tài) RAM模塊)
KMM5328004BSW 8M x 32 DRAM SIMM(8M x 32 動態(tài) RAM模塊)
KMM5361203C2WG 1M x 36 DRAM SIMM using 1Mx16 and 1Mx4 Quad CAS, 1K Refresh
KMM5361205C2W 1M x 36 DRAM SIMM using 1Mx16 and 4M Quad CAS EDO, 1K Refresh
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參數(shù)描述
KMM53232004CK 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:32M x 32 DRAM SIMM Using 16Mx4, 4K Refresh, 5V
KMM53232004CKG 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:32M x 32 DRAM SIMM Using 16Mx4, 4K Refresh, 5V
KMM5324000BSW 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 32 DRAM SIMM Using 4Mx16, 4K Refresh, 5V
KMM5324000BSWG 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 32 DRAM SIMM Using 4Mx16, 4K Refresh, 5V
KMM5324000CK 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 32 DRAM SIMM using 4Mx4, 4K/2K Refresh, 5V