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參數(shù)資料
| 型號： | KMM5361205C2WG |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 1M x 36 DRAM SIMM using 1Mx16 and 4M Quad CAS EDO, 1K Refresh |
| 中文描述： | 100萬× 36的DRAM上海藥物研究所和4M使用1Mx16四中科院江戶，一千刷新 |
| 文件頁數(shù)： | 15/17頁 |
| 文件大?。?/td> | 289K |
| 代理商： | KMM5361205C2WG |
DRAM MODULE
KMM5361205C2W/C2WG
Rev. 0.0 (Nov. 1997)
- 15 -
CAS-BEFORE-RAS REFRESH COUNTER TEST CYCLE
RAS
V
IH
-
V
IL
-
CAS
V
IH
-
V
IL
-
A
V
IH
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COLUMN
ADDRESS
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V
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W
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WP
t
RWL
NOTE : This timing diagram is applied to all devices besides 64M DRAM based modules.
t
CEZ
t
WEZ
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