參數(shù)資料
型號(hào)： KSD1691
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Feature
中文描述： 5 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
封裝： TO-126, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/5頁(yè)
文件大小： 47K
代理商： KSD1691
2000 Fairchild Semiconductor International
Rev. A, February 2000
K
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
C
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
Collector-Base Voltage
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
V
EBO
Emitter-Base Voltage
I
C
Collector Current (DC)
I
CP
*Collector Current (Pulse)
I
B
Base Current (DC)
P
C
Collector Dissipation (T
a
=25
°
C)
P
C
Collector Dissipation (T
C
=25
°
C)
T
J
Junction Temperature
T
STG
Storage Temperature
* PW
≤
10ms, duty Cycle
≤
50%
Electrical Characteristics
T
C
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
I
CBO
Collector Cut-off Current
I
EBO
Emitter Cut-off Current
h
FE1
h
FE2
h
FE3
V
CE
(sat)
*Collector-Emitter Saturation Voltage
V
BE
(sat)
*Base-Emitter Saturation Voltage
t
ON
Turn ON Time
t
STG
Storage Time
t
F
Fall Time
* Pulse test: PW
≤
50
μ
s, duty Cycle
≤
2% Pulsed
h
FE
Classificntion
Classification
h
FE 2
Parameter
Value
60
60
7
5
8
1
1.3
20
150
- 55 ~ 150
Units
V
V
V
A
A
A
W
W
°
C
°
C
Test Condition
V
CB
= 50V, I
E
= 0
V
EB
= 7V, I
C
= 0
V
CE
= 1V, I
C
= 0.1A
V
CE
= 1V, I
C
= 2A
V
CE
= 1V, I
C
= 5A
I
C
= 2A, I
B
= 0.2A
I
C
= 2A, I
B
= 0.2A
V
CC
= 10V, I
C
= 2A
I
B1
= - I
B2
= 0.2A
R
L
= 5
Min.
Typ.
Max.
10
10
Units
μ
A
μ
A
*DC Current Gain
60
100
50
400
0.1
0.9
0.2
1.1
0.2
0.3
1.2
1
2.5
1
V
V
μ
s
μ
s
μ
s
O
Y
G
100 ~ 200
160 ~ 320
200 ~ 400
KSD1691
Feature
Low Collector-Emtter Saturation Voltage & Large Collector Current
High Power Dissipation: P
C
= 1.3W (T
a
=25
°
C)
Complementary to KSB1151
1
1. Emitter 2.Collector 3.Base
TO-126
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KSD1691GSTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT 60V 5A NPN BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSD1691OS 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSD1691OSTU 功能描述:TRANSISTOR NPN 60V 5A TO-126 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
KSD1691SY 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述:
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