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參數(shù)資料
| 型號： | KSD1943 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | High Power Transistor |
| 中文描述： | 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220 |
| 封裝： | TO-220, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 38K |
| 代理商： | KSD1943 |
2000 Fairchild Semiconductor International
Rev. A, February 2000
K
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
C
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
Collector-Base Voltage
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
V
EBO
Emitter-Base Voltage
I
C
Collector Current
P
C
Collector Dissipation (T
a
=25
°
C)
T
J
Junction Temperature
T
STG
Storage Temperature
Electrical Characteristics
T
C
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
Parameter
BV
CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
I
CBO
Collector Cut-off Current
I
EBO
Emitter Cut-off Current
h
FE
DC Current Gain
V
BE
(sat)
Base-Emitter Saturation Voltage
V
CE
(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
Parameter
Value
80
60
8
3
40
150
- 55 ~ 150
Units
V
V
V
A
W
°
C
°
C
Test Condition
I
C
= 25mA, I
B
= 0
V
CB
= 80V, I
E
= 0
V
EB
= 8V, I
C
= 0
V
CE
= 4V, I
C
= 0.5A
I
C
= 2A, I
B
= 0.05A
I
C
= 2A, I
B
= 0.05A
Min.
60
Max.
Units
V
μ
A
μ
A
100
10
2000
1.5
1
400
V
V
KSD1943
High Power Transistor
1.Base 2.Collector 3.Emitter
1
TO-220
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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