參數(shù)資料
型號(hào)： KSD1943
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： High Power Transistor
中文描述： 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220
封裝： TO-220, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/4頁(yè)
文件大?。?/td> 38K
代理商： KSD1943
4.50
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0.20
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2.54TYP
[2.54
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0.20
]
2.54TYP
[2.54
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0.20
]
TO-220
Package Demensions
2000 Fairchild Semiconductor International
Rev. A, February 2000
K
Dimensions in Millimeters
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PDF描述
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參數(shù)描述
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KSD1944 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:High Gain Power Transistor
KSD1944TU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSD2012 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Low Frequency Power Amplifier
KSD2012GTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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