參數(shù)資料
型號(hào)： KST4124
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： General Purpose Transistor
中文描述： 200 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大?。?/td> 44K
代理商： KST4124
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A2, November 2002
K
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
a
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
Collector-Base Voltage
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
V
EBO
Emitter-Base Voltage
I
C
Collector Current
P
C
Collector Power Dissipation
T
STG
Storage Temperature
Refer to KST3904 for graphs
Electrical Characteristics
T
a
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
Parameter
BV
CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
BV
CEO
* Collector-Emitter Breakdown Voltage
BV
EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
I
CBO
Collector Cut-off Current
I
EBO
Emitter Cut-off Current
h
FE
* DC Current Gain
* Pulse Test: PW
≤
300
μ
s, Duty Cycle
≤
2%
Parameter
Value
30
25
5
200
350
150
Units
V
V
V
mA
mW
°
C
Test Condition
I
C
=10
μ
A, I
E
=0
I
C
=1.0mA, I
B
=0
I
E
=10
μ
A, I
C
=0
V
CB
=20V, I
E
=0
V
EB
=3V, I
C
=0
V
CE
=1V, I
C
=2mA
V
CE
=1V, I
C
=50mA
I
C
=50mA, I
B
=5.0mA
I
C
=50mA, I
B
=5.0mA
I
C
=10mA, V
CE
=20V
f=100MHz
V
CB
=5V, I
E
=0, f=1.0MHz
I
C
=100
μ
A, V
CE
=5V
R
S
=1K
f=10Hz to 15.7KHz
Min.
30
25
5
Max.
Units
V
V
V
nA
nA
50
50
360
120
60
V
CE
(sat)
V
BE
(sat)
f
T
* Collector-Emitter Saturation Voltage
* Base-Emitter Saturation Voltage
Current Gain Bandwidth Product
0.3
0.95
V
V
300
MHz
C
ob
NF
Output Capacitance
Noise Figure
4
5
pF
dB
KST4124
General Purpose Transistor
ZC
Marking
1. Base 2. Emitter 3. Collector
SOT-23
1
2
3
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PDF描述
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KST4124MTF_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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KST4125MTF_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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