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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | LMBT5551LT1 |
| 廠商： | 樂山無線電股份有限公司 |
| 英文描述： | High Voltage Transistors |
| 中文描述： | 高壓晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 2/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 118K |
| 代理商： | LMBT5551LT1 |
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
LMBT5550LT1–2/5
LMBT5550LT1 LMBT5551LT1
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T A = 25°C unless otherwise noted) (Continued)
Characteristic
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain
(I
C
= 1.0 mAdc, V
CE
= 5.0 Vdc)
Symbol
Min
Max
Unit
h
FE
––
LMBT5550
LMBT5551
LMBT5550
LMBT5551
LMBT5550
LMBT5551
60
80
60
80
20
30
—
—
250
250
—
—
(I
C
= 10 mAdc, V
CE
= 5.0 Vdc)
(I
C
= 50 mAdc, V
CE
= 5.0Vdc)
Collector–Emitter Saturation Voltage
(I
C
= 10 mAdc, I
B
= 1.0 mAdc)
V
CE(sat)
Vdc
Both Types
—
0.15
(I
C
= 50 mAdc, I
B
= 5.0 mAdc )
LMBT5550
LMBT5551
—
—
0.25
0.20
Base–Emitter Saturation Voltage
(I
C
= 10 mAdc, I
B
= 1.0 mAdc)
V
BE(sat)
Vdc
Both Types
—
1.0
(I
C
= 50 mAdc, I
B
= 5.0 mAdc)
LMBT5550
LMBT5551
—
—
1.2
1.0
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| LMBT5551LT1G | High Voltage Transistors |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| LMBT6427LT1G_11 | 制造商:LRC 制造商全稱:Leshan Radio Company 功能描述:Darlington Transistors NPN Silicon RoHS requirements. |
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