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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | LMBT5551LT1 |
| 廠商： | 樂(lè)山無(wú)線電股份有限公司 |
| 英文描述： | High Voltage Transistors |
| 中文描述： | 高壓晶體管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/5頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 118K |
| 代理商： | LMBT5551LT1 |
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
LMBT5550LT1–3/5
LMBT5550LT1 LMBT5551LT1
V
CE
= 1.0 V
V
CE
= 5.0 V
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 15. DC Current Gain
h
F
,
T
J
= +125°C
+25°C
–55°C
0.1
0.2
0.3
0.5
0.7
1.0
2.0
3.0
5.0
7.0
10
20
30
50
70
100
500
300
200
100
50
30
20
10
7.0
5.0
I
B
, BASE CURRENT (mA)
Figure 16. Collector Saturation Region
V
BE
, BASE–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. Collector Cut–Off Region
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 4. “On” Voltages
V
,
C
,
μ
A
V
–0.4 –0.3
–0.2
–0.1
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
10
1
10
0
10
–1
10
–2
10
–3
10
–4
10
–5
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
I
C
= 1.0 mA
T
J
= 25°C
10 mA
30 mA
100 mA
0.1
0.2 0.3
0.5
1.0
2.0 3.0
5.0
10
20 30
50
100
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
V
CE
= 30 V
T
J
= 125°C
75°C
25°C
I
C
= I
CES
REVERSE
FORWARD
T
J
= 25°C
V
BE(sat)
@ I
C
/I
B
= 10
V
CE(sat)
@ I
C
/I
B
= 10
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| LMBT5551LT1G | High Voltage Transistors |
| LMBT6517LT1G | High Voltage Transistors |
| LMBT6517LT3G | High Voltage Transistors |
| LMBT6517LT1 | High Voltage Transistors |
| LMBT6520LT1 | High Voltage Transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| LMBT5551LT3G | 制造商:LRC 制造商全稱:Leshan Radio Company 功能描述:High Voltage Transistors RoHS requirements. |
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| LMBT6427LT1G_11 | 制造商:LRC 制造商全稱:Leshan Radio Company 功能描述:Darlington Transistors NPN Silicon RoHS requirements. |
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