參數(shù)資料
型號： LT1336
廠商： Linear Technology Corporation
英文描述： Half-Bridge N-Channel Power MOSFET Driver with Boost Regulator(半橋N溝道功率MOS場效應(yīng)管驅(qū)動器（帶升壓穩(wěn)壓器）)
中文描述： 半橋N溝道功率MOSFET的升壓穩(wěn)壓器（半橋?馬鞍山溝道功率場效應(yīng)管驅(qū)動器驅(qū)動器（帶升壓穩(wěn)壓器））
文件頁數(shù)： 15/16頁
文件大?。?/td> 302K
代理商： LT1336
15
LT1336
TYPICAL APPLICATIO
N
S
Kool M
μ
is a registered trademark of Magnetics, Inc.
+
1
2
3
4
8
7
6
5
1
2
3
4
8
7
6
5
8
7
6
5
16
15
14
13
12
11
10
9
1
2
3
4
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
1
2
3
4
5
6
7
8
+
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
LT1058
TC4428
L*
158
μ
H
330k
IRFZ44
IRFZ44
IRFZ44
IRFZ44
10
μ
F
150k
10k
100k
95k
1336 F07
150k
–12V
10k
10k
200k
95k
10k
10k
200k
IN
5V
1k
1k
1k
1k
12V
0.0033
μ
F
0.1
μ
F
0.1
μ
F
1
μ
F
0.0033
μ
F
1k
47
μ
F
47
μ
F
47
μ
F
0.1
μ
F
100
μ
F
0.1
μ
F
10
μ
F
+
10
μ
F
0.1
μ
F
1000
μ
F
1000
μ
F
+
1N4148
0.1
μ
F
1N4148
330k
LOAD
+
+
LT1015
LT1016
+
+
10k
10k
10k
+
+
* Kool M
μ
CORE #77548-A7
35 TURNS 14GA MAGNET WIRE
f
CARRIER
= 100kHz
60V MAX
SWITCH
SWGND
BOOST
TGATEDR
TGATEFB
TSOURCE
PV
+
BGATEDR
LT1336
I
SENSE
SV
+
INTOP
INBOTTOM
UVOUT
SGND
PGND
BGATEFB
SWITCH
SWGND
BOOST
TGATEDR
TGATEFB
TSOURCE
PV
+
BGATEDR
LT1336
I
SENSE
SV
+
INTOP
INBOTTOM
UVOUT
SGND
PGND
BGATEFB
L*
158
μ
H
10
μ
F
+
+
47
μ
F
Figure 7. 200W Class D, 10Hz to 1kHz Amplifier
Information furnished by Linear Technology Corporation is believed to be accurate and reliable.
However, no responsibility is assumed for its use. Linear Technology Corporation makes no represen-
tation that the interconnection of its circuits as described herein will not infringe on existing patent rights.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
LT1346 OCTAL BUFFER/BUS DRIVERS 20-PDIP 0 to 70
LT1351 OCTAL BUFFER/BUS DRIVERS 20-PDIP 0 to 70
LT1351CMS8 OCTAL BUFFER/BUS DRIVERS 20-SO 0 to 70
LT1351CN8 OCTAL BUFFER/BUS DRIVERS 20-SO 0 to 70
LT1351CS8 OCTAL BUFFER/BUS DRIVERS 20-SO 0 to 70
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
LT1336CN 功能描述:IC MOSFET DRVR 1/2BRDG NCH 16DIP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應(yīng)商設(shè)備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063
LT1336CN#PBF 功能描述:IC MOSFET DRVR 1/2BRDG NCH 16DIP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應(yīng)商設(shè)備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063
LT1336CS 功能描述:IC MOSFET DRVR 1/2BRDG NCH16SOIC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應(yīng)商設(shè)備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063
LT1336CS#PBF 功能描述:IC MOSFET DRVR 1/2BRDG NCH16SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:95 系列:- 配置:高端和低端，獨立 輸入類型:非反相 延遲時間:160ns 電流 - 峰:290mA 配置數(shù):1 輸出數(shù):2 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動）:600V 電源電壓:10 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1381 (CN2011-ZH PDF)
LT1336CS#TR 功能描述:IC DRVR MOSF 1/2BRDG N-CH 16SOIC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應(yīng)商設(shè)備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*