參數(shù)資料
型號： LTC1250MJ8
廠商： LINEAR TECHNOLOGY CORP
元件分類： 運(yùn)動控制電子
英文描述： Very Low Noise Zero-Drift Bridge Amplifier
中文描述： OP-AMP, 10 uV OFFSET-MAX, 1.5 MHz BAND WIDTH, CDIP8
封裝： HERMETIC SEALED, CERDIP-8
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大?。?/td> 258K
代理商： LTC1250MJ8
2
LTC1250
U
PACKAGE/ORDER U
A
Total Supply Voltage (V
+
to V
–
) ............................. 18V
Input Voltage ........................(V
+
+ 0.3V) to (V
–
– 0.3V)
Output Short Circuit Duration ......................... Indefinite
Operating Temperature Range
LTC1250M..................................... –55
°
C to 125
°
C
LTC1250C .......................................... 0
°
C TO 70
°
C
Storage Temperature Range ................ –65
°
C to 150
°
C
Lead Temperature (Soldering, 10 sec.)................ 300
°
C
U
G
W
A
W
U
W
A
R
BSOLUTE
XI
TI
S
ORDER PART
NUMBER
1
2
3
4
8
7
6
5
TOP VIEW
NC
–IN
+IN
V
–
NC
V
+
OUT
NC
N8
8-LEAD PLASTIC DIP
S8 PACKAGE
8-LEAD PLASTIC SOIC
J8 PACKAGE
8-LEAD CERAMIC DIP
LTC1250MJ8
LTC1250CJ8
LTC1250CN8
LTC1250CS8
T
JMAX
= 150
°
C,
θ
JA
= 100
°
CW (J8)
T
JMAX
= 110
°
C,
θ
JA
= 130
°
CW (N8)
T
JMAX
= 110
°
C,
θ
JA
= 200
°
CW (S8)
S8 PART MARKING
1250
ELECTRICAL C
HARA TERISTICS
LTC1250M
TYP
±
5
±
0.01
50
0.75
0.2
4.0
±
50
LTC1250C
TYP
±
5
±
0.01
50
0.75
0.2
4.0
±
50
SYMBOL PARAMETER
V
OS
Input Offset Voltage
V
OS
Average Input Offset Drift
Long Term Offset Drift
e
n
Input Noise Voltage (Note 2)
CONDITIONS
T
A
= 25
°
C (Note 1)
(Note 1)
MIN
MAX
±
10
±
0.05
MIN
MAX
±
10
±
0.05
UNITS
μ
V
G
μ
V/
°
C
nV/
√
Mo
μ
V
P-P
μ
V
P-P
fA/
√
Hz
T
A
= 25
°
C, 0.1Hz to 10Hz
T
A
= 25
°
C, 0.1Hz to 1Hz
f = 10Hz
T
A
= 25
°
C (Note 3)
1.0
1.0
i
n
I
B
Input Noise Current
Input Bias Current
±
150
±
950
±
300
±
500
±
200
±
450
±
400
±
500
pA
pA
pA
pA
dB
dB
dB
V
V
G
I
OS
Input Offset Current
T
A
= 25
°
C (Note 3)
±
100
±
100
G
CMRR
PSRR
A
VOL
Common-Mode Rejection Ratio
Power Supply Rejection Ratio
Large-Signal Voltage Gain
Maximum Output Voltage Swing
V
CM
= –4V to 3V
V
S
=
±
2.375V to
±
8V
R
L
= 10k, V
OUT
=
±
4V
R
L
= 1k
R
L
= 100k
R
L
= 10k, C
L
= 50pF
G
110
115
125
±
4.0 4.3/–4.7
130
130
170
110
115
125
±
4.0 4.3/–4.7
130
130
170
G
G
G
±
4.92
10
1.5
3.0
±
4.95
10
1.5
3.0
SR
GBW
I
S
Slew Rate
Gain-Bandwidth Product
Supply Current
V/
μ
s
MHz
mA
mA
kHz
No Load, T
A
= 25
°
C
4.0
7.0
4.0
5.0
G
f
S
Internal Sampling Frequency
T
A
= 25
°
C
4.75
4.75
V
IN
=
±
5V, T
A
= Operating Temperature Range, unless otherwise noted.
LTC1250M
TYP
±
2
±
0.01
1.0
0.3
±
20
±
40
LTC1250C
TYP
±
2
±
0.01
1.0
0.3
±
20
±
40
SYMBOL PARAMETER
V
OS
Input Offset Voltage
V
OS
Average Input Offset Drift
e
n
Input Noise Voltage (Note 2)
CONDITIONS
T
A
= 25
°
C (Note 1)
(Note 1)
T
A
= 25
°
C, 0.1Hz to 10Hz
T
A
= 25
°
C, 0.1Hz to 1Hz
T
A
= 25
°
C (Note 3)
T
A
= 25
°
C (Note 3)
MIN
MAX
±
5
±
0.05
MIN
MAX
±
5
±
0.05
UNITS
μ
V
G
μ
V/
°
C
μ
V
P-P
μ
V
P-P
I
B
I
OS
Input Bias Current
Input Offset Current
±
100
±
200
±
100
±
200
pA
pA
V
IN
= 5V, T
A
= Operating Temperature Range, unless otherwise noted.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
LTC1250M Very Low Noise Zero-Drift Bridge Amplifier
LTC1255CN8 Dual 24V High-Side MOSFET Driver
LTC1255C Dual 24V High-Side MOSFET Driver
LTC1255 Dual 24V High-Side MOSFET Driver
LTC1255I Dual 24V High-Side MOSFET Driver
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
LTC1255CN8 功能描述:IC MOSFET DVR HI-SIDE DUAL 8-DIP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時(shí)間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應(yīng)商設(shè)備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063
LTC1255CN8#PBF 功能描述:IC MOSFET DVR HI-SIDE DUAL 8-DIP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時(shí)間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應(yīng)商設(shè)備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063
LTC1255CS8 功能描述:IC MOSFET DVR HI-SIDE DUAL 8SOIC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時(shí)間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應(yīng)商設(shè)備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063
LTC1255CS8#PBF 功能描述:IC MOSFET DVR HI-SIDE DUAL 8SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:95 系列:- 配置:高端和低端，獨(dú)立 輸入類型:非反相 延遲時(shí)間:160ns 電流 - 峰:290mA 配置數(shù):1 輸出數(shù):2 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動）:600V 電源電壓:10 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1381 (CN2011-ZH PDF)
LTC1255CS8#TR 功能描述:IC DRVR MOSF DUAL 24V HISD 8SOIC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時(shí)間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應(yīng)商設(shè)備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063
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