參數(shù)資料
型號(hào)： LTC1250MJ8
廠商： LINEAR TECHNOLOGY CORP
元件分類： 運(yùn)動(dòng)控制電子
英文描述： Very Low Noise Zero-Drift Bridge Amplifier
中文描述： OP-AMP, 10 uV OFFSET-MAX, 1.5 MHz BAND WIDTH, CDIP8
封裝： HERMETIC SEALED, CERDIP-8
文件頁(yè)數(shù)： 8/8頁(yè)
文件大小： 258K
代理商： LTC1250MJ8
8
LTC1250
Linear Technology Corporation
1630 McCarthy Blvd., Milpitas, CA 95035-7487
(408) 432-1900
G
FAX
: (408) 434-0507
G
TELEX
: 499-3977
LINEAR TECHNOLOGY CORPORATION 1994
U
S
A
O
PPLICATI
Reference Buffer
TYPICAL
Differential Thermocouple Ampliifer
0.016 – 0.050
0.406 – 1.270
0.010 – 0.020
(0.254 – 0.508)
×
45
°
0°– 8° TYP
0.008 – 0.010
(0.203 – 0.254)
SO8 0294
0.053 – 0.069
(1.346 – 1.752)
0.014 – 0.019
(0.355 – 0.483)
0.004 – 0.010
(0.101 – 0.254)
0.050
(1.270)
BSC
1
2
3
4
0.150 – 0.157*
(3.810 – 3.988)
8
7
6
5
0.189 – 0.197*
(4.801 – 5.004)
0.228 – 0.244
(5.791 – 6.197)
*THESE DIMENSIONS DO NOT INCLUDE MOLD FLASH OR PROTRUSIONS.
MOLD FLASH OR PROTRUSIONS SHALL NOT EXCEED 0.006 INCH (0.15mm).
S8 Package 8-Lead Plastic SOIC
N8 0694
0.045 ± 0.015
(1.143 ± 0.381)
0.100 ± 0.010
(2.540 ± 0.254)
0.065
(1.651)
TYP
0.045 – 0.065
(1.143 – 1.651)
0.130 ± 0.005
(3.302 ± 0.127)
0.015
(MIN
0.018 ± 0.003
(0.457 ± 0.076)
0.125
(MIN
1
2
3
4
8
7
6
5
0.255 ± 0.015*
(6.477 ± 0.381)
0.400*
(MAX
0.009 – 0.015
(0.229 – 0.381)
0.300 – 0.325
(7.620 – 8.255)
0.325–0.015
+0.635
8.255
(
)
*THESE DIMENSIONS DO NOT INCLUDE MOLD FLASH OR PROTRUSIONS.
MOLD FLASH OR PROTURSIONS SHALL NOT EXCEED 0.010 INCH (0.254mm).
J8 0694
0.014 – 0.026
(0.360 – 0.660)
0.200
(5.080)
MAX
0.015 – 0.060
(0.381 – 1.524)
0.125
MIN
0.100 ± 0.010
(2.540 ± 0.254)
0.300 BSC
(0.762 BSC)
0.008 – 0.018
(0.203 – 0.457)
0° – 15°
0.385 ± 0.025
(9.779 ± 0.635)
0.005
(MIN
0.405
(1MAX
0.220 – 0.310
(5.588 – 7.874)
1
2
3
4
8
7
6
5
0.025
(0.635)
0.045 – 0.068
(1FULL LEAD
OPTION
0.023 – 0.045
(HALF LEAD
OPTION
CORNE(4 PLCS)
0.045 – 0.068
(1.143
NOTE: LEAD DIMENSIONS APPLY TO SOLDER DIP/PLATE OR TIN PLATE LEADS.
J8 Package 8-Lead Ceramic DIP
N8 Package 8-Lead Plastic DIP
PACKAGE DESCRIPTIOU
Dimensions in inches (millimeters) unless otherwise noted.
–
+
5V
TYPE K
V
CM
R4
1M
0.1%
C1
100pF
7
6
4
3
2
–5V
V
100mV/°C
1250 TA04
LTC1250
R5
3k
R6
7.5k
1%
R7
500
FULL-SCALE TRIM
R9
33k
–5V
C2
100pF
+
–
R3
1M
0.1%
R8
5k
1%
5V
GND
V
IN
V
OUT
LT1025
10mV/°C
R1
10k
0.1%
R2
10k
0.1%
FOR BEST ACCURACY, THERMOCOUPLE
RESISTANCE SHOULD BE LESS THAN 100
–
+
15V
7
6
4
3
2
±10ppm ERROR AT ±15mA
1
μ
V
P-P
OUTPUT NOISE
2.5
μ
V/°C DRIFT (DUE TO LM399)
1250 TA03
LTC1250
7.5k
LM399
3
1
2
4
LT/GP 0894 2K REV A PRINTED IN USA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
LTC1250M Very Low Noise Zero-Drift Bridge Amplifier
LTC1255CN8 Dual 24V High-Side MOSFET Driver
LTC1255C Dual 24V High-Side MOSFET Driver
LTC1255 Dual 24V High-Side MOSFET Driver
LTC1255I Dual 24V High-Side MOSFET Driver
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
LTC1255CN8 功能描述:IC MOSFET DVR HI-SIDE DUAL 8-DIP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時(shí)間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應(yīng)商設(shè)備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063
LTC1255CN8#PBF 功能描述:IC MOSFET DVR HI-SIDE DUAL 8-DIP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時(shí)間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應(yīng)商設(shè)備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063
LTC1255CS8 功能描述:IC MOSFET DVR HI-SIDE DUAL 8SOIC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時(shí)間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應(yīng)商設(shè)備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063
LTC1255CS8#PBF 功能描述:IC MOSFET DVR HI-SIDE DUAL 8SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:95 系列:- 配置:高端和低端，獨(dú)立 輸入類型:非反相 延遲時(shí)間:160ns 電流 - 峰:290mA 配置數(shù):1 輸出數(shù):2 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:600V 電源電壓:10 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1381 (CN2011-ZH PDF)
LTC1255CS8#TR 功能描述:IC DRVR MOSF DUAL 24V HISD 8SOIC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時(shí)間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應(yīng)商設(shè)備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063
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