參數(shù)資料
型號(hào)： LTC1250MJ8
廠商： LINEAR TECHNOLOGY CORP
元件分類： 運(yùn)動(dòng)控制電子
英文描述： Very Low Noise Zero-Drift Bridge Amplifier
中文描述： OP-AMP, 10 uV OFFSET-MAX, 1.5 MHz BAND WIDTH, CDIP8
封裝： HERMETIC SEALED, CERDIP-8
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
文件大?。?/td> 258K
代理商： LTC1250MJ8
3
LTC1250
ELECTRICAL C
HARA TERISTICS
LTC1250M
TYP
4.3
4.95
1.8
3
LTC1250C
TYP
4.3
4.95
1.8
3
SYMBOL PARAMETER
Maximum Output Voltage Swing
CONDITIONS
R
L
= 1k
R
L
= 100k
T
A
= 25
°
C
T
A
= 25
°
C
MIN
4.0
MAX
MIN
4.0
MAX
UNITS
V
V
I
S
f
S
Supply Current
Sampling Frequency
2.5
2.5
mA
kHz
The
G
denotes specifications which apply over the full operating
temperature range.
Note 1:
These parametes are guaranteed by design. Thermocouple effects
preclude measurement of these voltage levels during automated testing.
Note 2:
0.1Hz to 10Hz noise is specified DC coupled in a 10s window;
0.1Hz to 1Hz noise is specified in a 100s window with an RC high-pass
V
IN
= 5V, T
A
= Operating Temperature Range, unless otherwise noted.
filter at 0.1Hz. The LTC1250 is sample tested for noise; for 100% tested
parts contact LTC Marketing Dept.
Note 3:
At T
≤
0
°
C these parameters are guaranteed by design and not
tested.
C
HARA TERISTICS
U
A
TYPICAL PERFOR
CE
Sampling Frequency vs Supply
Voltage
TOTAL SUPPLY VOLTAGE, V
+
TO V
–
(V)
4
0
I
μ
V
P
)
0.2
0.4
0.6
0.8
6
8
10
12
LTC1250 G01
1.0
1.2
1.4
1.6
14
16
T
A
= 25°C
0.1Hz TO 10Hz
0.1Hz TO 1Hz
TOTAL SUPPLY VOLTAGE, V
+
TO V
–
(V)
4
0
S
0.5
1.0
1.5
2.0
6
8
10
12
LTC1250 G02
2.5
3.0
3.5
4.0
14
16
T
A
= 25°C
Supply Current vs Supply Voltage
Input Noise vs Supply Voltage
TEMPERATURE (°C)
–50
S
4
5
6
25
LTC1250 G06
3
2
–25
0
50
1
0
8
7
75
100
150
V
S
= ±5V
Sampling Frequency vs
Temperature
TEMPERATURE (°C)
–50
2.0
S
3.0
4.5
0
50
75
LTC1250 G05
2.5
4.0
3.5
–25
25
100
125
V
S
= ±5V
Supply Current vs Temperature
Input Noise vs Temperature
TEMPERATURE (°C)
–50
I
μ
V
P
)
0.8
1.0
1.2
25
75
LTC1250 G04
0.6
0.4
–25
0
50
100
125
0.2
0
V
S
= ±5V
0.1Hz TO 10Hz
0.1Hz TO 1Hz
TOTAL SUPPLY VOLTAGE, V
+
TO V
–
(V)
4
2
S
3
4
6
8
10
12
LTC1250 G03
5
6
14
16
T
A
= 25°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
LTC1250M Very Low Noise Zero-Drift Bridge Amplifier
LTC1255CN8 Dual 24V High-Side MOSFET Driver
LTC1255C Dual 24V High-Side MOSFET Driver
LTC1255 Dual 24V High-Side MOSFET Driver
LTC1255I Dual 24V High-Side MOSFET Driver
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
LTC1255CN8 功能描述:IC MOSFET DVR HI-SIDE DUAL 8-DIP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時(shí)間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應(yīng)商設(shè)備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063
LTC1255CN8#PBF 功能描述:IC MOSFET DVR HI-SIDE DUAL 8-DIP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時(shí)間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應(yīng)商設(shè)備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063
LTC1255CS8 功能描述:IC MOSFET DVR HI-SIDE DUAL 8SOIC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時(shí)間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應(yīng)商設(shè)備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063
LTC1255CS8#PBF 功能描述:IC MOSFET DVR HI-SIDE DUAL 8SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:95 系列:- 配置:高端和低端，獨(dú)立 輸入類型:非反相 延遲時(shí)間:160ns 電流 - 峰:290mA 配置數(shù):1 輸出數(shù):2 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:600V 電源電壓:10 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1381 (CN2011-ZH PDF)
LTC1255CS8#TR 功能描述:IC DRVR MOSF DUAL 24V HISD 8SOIC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時(shí)間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應(yīng)商設(shè)備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063
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