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參數(shù)資料
| 型號： | LTC1255IN8 |
| 廠商： | LINEAR TECHNOLOGY CORP |
| 元件分類： | MOSFETs |
| 英文描述： | Dual 24V High-Side MOSFET Driver |
| 中文描述： | 2 CHANNEL, BUF OR INV BASED MOSFET DRIVER, PDIP8 |
| 封裝： | DIP-8 |
| 文件頁數(shù)： | 10/16頁 |
| 文件大?。?/td> | 340K |
| 代理商： | LTC1255IN8 |
10
LTC1255
The switches can either be turned OFF by the controlling
logic during these transients or latched OFF above 30V by
holding the drain sense pin low as shown in Figure 9.
Switch status can be ascertained by means of an XNOR
gate connected to the input and switch output through
100k current limiting resistors (see Typical Applications
section for more detail on this scheme). The switch is reset
after the overvoltage event by cycling the input low and
then high again.
The power MOSFET switch should be selected to have a
breakdown voltage sufficiently higher than the 40V supply
clamp voltage to ensure that no current is conducted to the
load during the transient.
APPLICATIU
W
U
U
Figure 9. Overvoltage Transient Protection
TYPICAL APPLICATIU
Dual Automotive High-Side Switch with Overvoltage Protection,
XNOR Status and 12
μ
A Standby Current
V
S
DS1
1/2 LTC1255
G1
GND
IN1
IRF530
12V
1N5242B
14V
R
0.036
LTC1255 F09
LOAD
100
10k
1k*
D1
MR2535L
30V*
1N5256B
FROM
μ
P, ETC.
+
1
μ
F
50V
*OPTIONAL OVERVOLTAGE (30V) LATCH-OFF COMPONENTS
V
S
DS2
LTC1255
IN2
GND
DS1
IN1
G1
G2
MTD3055E
1N5400
14V
MR2535L*
0.036
LTC1255 TA03
10k**
12V
MMBZ5242B
100k
10k
FAULT
TO
μ
P
FROM
μ
P, ETC.
100
+
1
μ
F
50V
FAULT
TO
μ
P
FROM
μ
P, ETC.
10k
100k
1N5400
12V
MMBZ5242B
10k** MTD3055E
14V/1A
SOLENOID
0.036
14V/1A
SOLENOID
1/4 74C266
LIMITS V
S
TRANSIENTS TO <40V. SEE MANUFACTURER DATA SHEET FOR
FURTHER DETAIL.
OPTIONAL OPEN LOAD DETECTION REQUIRES 10k PULL-UP RESISTORS.
(ULTRA LOW STANDBY QUIESCENT CURRENT IS SACRIFICED)
POWER FROM 5V LOGIC SUPPLY.
*
**
IN
0
1
0
1
OUT
0
0
1
1
CONDITION
SWITCH OFF
OVERCURRENT
OPEN LOAD**
SWITCH ON
FAULT
1
0
0
1
TRUTH TABLE
1/4 74C266
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| LTC1255IS8 | Dual 24V High-Side MOSFET Driver |
| LTC1258-2.5 | Micropower Low Dropout References(2.5V輸出,微功耗，低壓差電壓基準(zhǔn)) |
| LTC1258-4.1 | Micropower Low Dropout References(4.1V輸出,微功耗，低壓差電壓基準(zhǔn)) |
| LTC1258-5 | Micropower Low Dropout References(5V輸出,微功耗，低壓差電壓基準(zhǔn)) |
| LTC1258-3 | Micropower Low Dropout References(3V輸出,微功耗，低壓差電壓基準(zhǔn)) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| LTC1255IN8#PBF | 功能描述:IC MOSFET DVR HI-SIDE DUAL 8-DIP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 系列:- 配置:高端 輸入類型:非反相 延遲時間:200ns 電流 - 峰:250mA 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動）:600V 電源電壓:12 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DIP 包裝:管件 其它名稱:*IR2127 |
| LTC1255IS8 | 功能描述:IC MOSFET DVR HI-SIDE DUAL 8SOIC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應(yīng)商設(shè)備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063 |
| LTC1255IS8#PBF | 功能描述:IC MOSFET DVR HI-SIDE DUAL 8SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應(yīng)商設(shè)備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063 |
| LTC1255IS8#TR | 功能描述:IC DRVR MOSF DUAL 24V HISD 8SOIC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應(yīng)商設(shè)備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063 |
| LTC1255IS8#TRPBF | 功能描述:IC MOSFET DVR HI-SIDE DUAL 8SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應(yīng)商設(shè)備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063 |
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