參數(shù)資料
型號： LTC1255IN8
廠商： LINEAR TECHNOLOGY CORP
元件分類： MOSFETs
英文描述： Dual 24V High-Side MOSFET Driver
中文描述： 2 CHANNEL, BUF OR INV BASED MOSFET DRIVER, PDIP8
封裝： DIP-8
文件頁數(shù)： 4/16頁
文件大?。?/td> 340K
代理商： LTC1255IN8
4
LTC1255
C
HARA TERISTICS
U
A
TYPICAL PERFOR
CE
Input Threshold Voltage
Short-Circuit Turn-OFF Delay Time
Turn-ON Time
Standby Supply Current
Supply Current per Channel (ON)
Input ON Threshold
Gate Clamp Current
Drain Sense Threshold Voltage
Turn-OFF Time
SUPPLY VOLTAGE (V)
0
0.4
I
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
5
10
15
20
LTC1255 TPC04
25
2.0
2.2
2.4
0.6
30
V
ON
V
OFF
SUPPLY VOLTAGE (V)
0
75
D
85
90
95
100
105
110
5
10
15
20
LTC1255 TPC05
25
115
120
125
80
30
T
A
= 25°C
SUPPLY VOLTAGE (V)
0
0
G
μ
A
10
15
20
25
30
35
5
10
15
20
LTC1255 TA06
25
40
45
50
5
30
V
CLAMP
= 12V
T
A
SUPPLY VOLTAGE (V)
0
0
T
μ
s
200
300
400
500
600
700
5
10
15
20
LTC1255 TA07
25
800
900
1000
100
30
C
GATE
= 1000pF
T
A
V
GS
= 5V
V
GS
= 2V
SUPPLY VOLTAGE (V)
0
0
T
μ
s
10
15
20
25
30
35
5
10
15
20
LTC1255 TA08
25
40
45
50
5
30
C
= 1000pF
TIME FOR V
GATE
< 1V
SUPPLY VOLTAGE (V)
0
0
T
μ
s
10
15
20
25
30
35
5
10
15
20
LTC1255 TA09
25
40
45
50
5
30
C
= 1000pF
TIME FOR V
GATE
< 1V
TEMPERATURE (°C)
–50
0
S
μ
A
10
15
20
25
30
35
–25
0
25
50
LTC1255 TA10
75
40
45
50
5
100
V
S
= 10V
V
S
= 18V
V
S
= 24V
TEMPERATURE (°C)
–50
0.4
I
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
–25
0
25
50
LTC1255 TA12
75
2.0
2.2
2.4
0.6
100
V
S
= 10V
V
S
= 24V
TEMPERATURE (°C)
–50
0
S
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
–25
0
25
50
LTC1255 TA11
75
1.6
1.8
2.0
0.2
100
V
S
= 24V
V
S
= 10V
V
S
= 18V
相關PDF資料
PDF描述
LTC1255IS8 Dual 24V High-Side MOSFET Driver
LTC1258-2.5 Micropower Low Dropout References(2.5V輸出,微功耗，低壓差電壓基準)
LTC1258-4.1 Micropower Low Dropout References(4.1V輸出,微功耗，低壓差電壓基準)
LTC1258-5 Micropower Low Dropout References(5V輸出,微功耗，低壓差電壓基準)
LTC1258-3 Micropower Low Dropout References(3V輸出,微功耗，低壓差電壓基準)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
LTC1255IN8#PBF 功能描述:IC MOSFET DVR HI-SIDE DUAL 8-DIP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關 系列:- 標準包裝:50 系列:- 配置:高端 輸入類型:非反相 延遲時間:200ns 電流 - 峰:250mA 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:600V 電源電壓:12 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應商設備封裝:8-DIP 包裝:管件 其它名稱:*IR2127
LTC1255IS8 功能描述:IC MOSFET DVR HI-SIDE DUAL 8SOIC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關 系列:- 標準包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應商設備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063
LTC1255IS8#PBF 功能描述:IC MOSFET DVR HI-SIDE DUAL 8SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關 系列:- 標準包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應商設備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063
LTC1255IS8#TR 功能描述:IC DRVR MOSF DUAL 24V HISD 8SOIC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關 系列:- 標準包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應商設備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063
LTC1255IS8#TRPBF 功能描述:IC MOSFET DVR HI-SIDE DUAL 8SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關 系列:- 標準包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應商設備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*