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參數(shù)資料
| 型號： | M13S2561616A-5TG |
| 廠商： | ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 4M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM |
| 中文描述： | 16M X 16 DDR DRAM, 0.75 ns, PDSO66 |
| 封裝： | 0.400 X 875 INCH, 0.65 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2-66 |
| 文件頁數(shù)： | 4/48頁 |
| 文件大小： | 1232K |
| 代理商： | M13S2561616A-5TG |
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ES MT
M13S2561616A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Publication Date : Jul. 2007
Revision : 1.3 4/48
Pin Description
Pin Name
Function
Pin Name
Function
A0~A12,
BA0,BA1
Address inputs
- Row address A0~A12
- Column address A0~A8
A10/AP : AUTO Precharge
BA0, BA1 : Bank selects (4 Banks)
LDM, UDM
DM is an input mask signal for write
data. LDM corresponds to the data
on DQ0~DQ7; UDM correspond to
the data on DQ8~DQ15.
DQ0~DQ15
Data-in/Data-out
CLK, CLK
Clock input
RAS
Row address strobe
CKE
Clock enable
CAS
Column address strobe
CS
Chip select
WE
V
SS
Write enable
V
DDQ
Supply Voltage for GDQ
Ground
V
SSQ
Ground for DQ
V
DD
Power
V
REF
Reference Voltage for SSTL-2
LDQS, UDQS
Bi-directional Data Strobe. LDQS
corresponds to the data on DQ0~DQ7;
UDQS correspond to the data on
DQ8~DQ15.
NC
No connection
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| M13S2561616A-5TIG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:4M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM |
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