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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M25P40-VMN6TP |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| 中文描述： | 4兆位統(tǒng)一部門，串行閃存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 27/40頁(yè) |
| 文件大小： | 232K |
| 代理商： | M25P40-VMN6TP |
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M25P40
Figure 20. Power-up Timing
Table 7. Power-Up Timing and V
WI
Threshold
Symbol
Note: 1. These parameters are characterized only.
INITIAL DELIVERY STATE
The device is delivered with the memory array
erased: all bits are set to 1 (each byte contains
FFh). The Status Register contains 00h (all Status
Register bits are 0).
Parameter
Min.
Max.
Unit
t
VSL1
V
CC
(min) to S low
10
μs
t
PUW1
Time delay to Write instruction
1
10
ms
V
WI1
Write Inhibit Voltage
1
2
V
VCC
AI04009C
VCC(min)
VWI
Reset State
of the
Device
Chip Selection Not Allowed
Program, Erase and Write Commands are Rejected by the Device
tVSL
tPUW
time
Read Access allowed
Device fully
accessible
VCC(max)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M25P40-VMP3 | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| M25P40-VMP3G | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| M25P40-VMP3P | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| M25P40-VMP3T | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| M25P40-VMP3TG | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M25P40-VMN6TP/X | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:4 Mbit, low voltage, serial Flash memory with 50 MHz SPI bus interface |
| M25P40-VMN6TP_NUD | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述: |
| M25P40-VMN6TPB | 功能描述:IC FLASH 4MBIT 75MHZ 8SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:Forté™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:256K (32K x 8) 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:28-TSSOP（0.465"，11.8mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:28-TSOP 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:71V256SA15PZGI8 |
| M25P40-VMN6TPB07 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:SERIAL NOR - Tape and Reel |
| M25P40-VMN6TPB11 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:SERIAL NOR - Tape and Reel |
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