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參數(shù)資料
| 型號： | M25PE80-VMP6TG |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| 中文描述： | 4兆位統(tǒng)一部門，串行閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 35/43頁 |
| 文件大?。?/td> | 599K |
| 代理商： | M25PE80-VMP6TG |
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35/43
M25PE80
Table 16. AC Characteristics
Note: 1. t
CH
+ t
CL
must be greater than or equal to 1/ f
C
2. Value guaranteed by characterization, not 100% tested in production.
3. When using PP and PW instructions to update consecutive Bytes, optimized timings are obtained with one sequence including all
the Bytes versus several sequences of only a few Bytes.
Test conditions specified in
Table 12.
and
Table 13.
Symbol
Alt.
Parameter
Min.
Typ.
Max.
Unit
f
C
f
C
Clock Frequency for the following
instructions: FAST_READ, RDLR, PW,
PP, WRLR, PE, SE, DP, RDP, WREN,
WRDI, RDSR
D.C.
50
MHz
f
R
Clock Frequency for READ
instructions
D.C.
20
MHz
t
CH (1)
t
CLH
Clock High Time
9
ns
t
CL (1)
t
CLL
Clock Low Time
9
ns
Clock Slew Rate
2
(peak to peak)
0.1
V/ns
t
SLCH
t
CSS
S Active Setup Time (relative to C)
9
ns
t
CHSL
S Not Active Hold Time (relative to C)
9
ns
t
DVCH
t
DSU
Data In Setup Time
2
ns
t
CHDX
t
DH
Data In Hold Time
5
ns
t
CHSH
S Active Hold Time (relative to C)
9
ns
t
SHCH
S Not Active Setup Time (relative to C)
9
ns
t
SHSL
t
CSH
S Deselect Time
100
ns
t
SHQZ (2)
t
DIS
Output Disable Time
8
ns
t
CLQV
t
V
Clock Low to Output Valid
8
ns
t
CLQX
t
HO
Output Hold Time
0
ns
t
THSL
Top Sector Lock Setup Time
50
ns
t
SHTL
Top Sector Lock Hold Time
100
ns
t
DP (2)
S to Deep Power-down
3
μ
s
t
RDP (2)
S High to Standby Mode
30
μ
s
t
PW (3)
Page Write Cycle Time (256 Bytes)
11
25
ms
Page Write Cycle Time (n Bytes)
10.2 +
n * 0.8/256
t
PP (3)
Page Program Cycle Time (256 Bytes)
1.2
5
ms
Page Program Cycle Time (n Bytes)
0.4 +
n * 0.8/256
t
PE
Page Erase Cycle Time
10
20
ms
t
SE
Sector Erase Cycle Time
1
5
s
t
BE
Bulk Erase Cycle Time
16
60
s
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M25PE80-VMP6TP | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| M25PE80 | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| M25PE80-VMP6 | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| M25PE80-VMW6TG | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| M25PE80-VMW6TP | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M25PE80-VMP6TP | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:8-Mbit, page-erasable serial flash memory with byte alterability, 75 MHz SPI bus, standard pinout |
| M25PE80-VMS6G | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NOR Flash Serial-SPI 3.3V 8Mbit 1M x 8bit 8ns 8-Pin QFN Tray |
| M25PE80-VMS6P | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:8-Mbit, page-erasable serial flash memory with byte alterability, 75 MHz SPI bus, standard pinout |
| M25PE80-VMS6TG | 功能描述:IC FLASH 8MBIT 75MHZ 8QFN RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:Forté™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ |
| M25PE80-VMS6TP | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:8-Mbit, page-erasable serial flash memory with byte alterability, 75 MHz SPI bus, standard pinout |
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