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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M29W800AB100ZA5T |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 8 Mbit 1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 8兆1兆x8或512KB的x16插槽，引導(dǎo)塊低壓?jiǎn)坞娫撮W存 |
| 文件頁數(shù)： | 25/33頁 |
| 文件大?。?/td> | 234K |
| 代理商： | M29W800AB100ZA5T |
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25/33
M29W800AT, M29W800AB
Table 23. Program, Erase Times and Program, Erase Endurance Cycles
(T
A
= 0 to 70
°
C; V
CC
= 2.7V to 3.6V)
Note: 1. Excluded the time required to execute bus cycles sequence for program operation.
Parameter
M29W800AT / M29W800AB
Unit
Min
Typ
Typical after
(1)
100k W/E Cycles
Max
Chip Erase (Preprogrammed, V
CC
= 2.7V)
10
10
sec
Chip Erase (V
CC
= 2.7V)
15
15
sec
Main Block Erase (V
CC
= 2.7V)
1.5
15
sec
Chip Program (Byte)
(1)
10
10
sec
Chip Program (Word)
(1)
5
5
sec
Byte/Word Program
10
10
μ
s
Program/Erase Cycles (per Block)
100,000
cycles
Figure 12. Data Polling Flowchart
READ DQ5 &
DQ7
at VALID ADDRESS
START
READ DQ7
FAIL
PASS
AI01369
DQ7
DATA
YES
NO
YES
NO
DQ5
= 1
DQ7
DATA
YES
NO
Figure 13. Data Toggle Flowchart
READ
DQ2, DQ5 & DQ6
START
READ DQ2, DQ6
FAIL
PASS
AI01873
DQ2,
DQ6
=
TOGGLE
NO
NO
YES
YES
DQ5
= 1
NO
YES
DQ2,
DQ6
=
TOGGLE
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M29W800AT100ZA5T | 8 Mbit 1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory |
| M29W800AB90ZA5T | 8 Mbit 1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory |
| M29W800AT90ZA5T | 8 Mbit 1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory |
| M29W800AB80ZA5T | 8 Mbit 1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory |
| M29W800AT80ZA5T | 8 Mbit 1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M29W800AB120M1 | 功能描述:閃存 1Mx8 or 512Kx16 120n RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M29W800AB120N1 | 功能描述:閃存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M29W800AB-120N1 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述: |
| M29W800AB120N6 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:FLASH PARALLEL 3V/3.3V 8MBIT 1MX8/512KX16 120NS 48TSOP - Trays |
| M29W800AB120ZA6 | 功能描述:閃存 LFBGA48 1MX8 512KX16 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
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