- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄359056 > M36DR432-ZAT (意法半導體) 32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Flash Memory and 4 Mbit 256K x16 SRAM, Multiple Memory Product PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | M36DR432-ZAT |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | 32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Flash Memory and 4 Mbit 256K x16 SRAM, Multiple Memory Product |
| 中文描述： | 32兆位的2Mb x16插槽，雙行，頁閃存和4兆位256K x16的SRAM，多個存儲產(chǎn)品 |
| 文件頁數(shù)： | 31/52頁 |
| 文件大?。?/td> | 834K |
| 代理商： | M36DR432-ZAT |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁當前第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁
31/52
M36DR432AD, M36DR432BD
Table 18. Flash Read AC Characteristics
Note: 1. Sampled only, not 100% tested.
2. GF may be delayed by up to t
ELQV
- t
GLQV
after the falling edge of EF without increasing t
ELQV
.
3. To be characterized.
Symbol
Alt
Parameter
Test Condition
M36DR432AD, M36DR432BD
Unit
85
100
120
Min
Max
Min
Max
Min
Max
t
AVAV
t
RC
Address Valid to Next
Address Valid
EF = V
IL
, GF = V
IL
85
(3)
100
120
ns
t
AVQV
t
ACC
Address Valid to
Output Valid (Random)
EF = V
IL
, GF = V
IL
85
(3)
100
120
ns
t
AVQV1
t
PAGE
Address Valid to
Output Valid (Page)
EF = V
IL
, GF = V
IL
30
(3)
35
45
ns
t
ELQX
(1)
t
LZ
Chip Enable Low to
Output Transition
GF = V
IL
0
0
0
ns
t
ELQV
(2)
t
CE
Chip Enable Low to
Output Valid
GF = V
IL
85
(3)
100
120
ns
t
GLQX
(1)
t
OLZ
Output Enable Low to
Output Transition
EF = V
IL
0
0
0
ns
t
GLQV
(2)
t
OE
Output Enable Low to
Output Valid
EF = V
IL
25
(3)
25
35
ns
t
EHQX
t
OH
Chip Enable High to
Output Transition
GF = V
IL
0
0
0
ns
t
EHQZ
(1)
t
HZ
Chip Enable High to
Output Hi-Z
GF = V
IL
20
(3)
25
35
ns
t
GHQX
t
OH
Output Enable High to
Output Transition
EF = V
IL
0
0
0
ns
t
GHQZ
(1)
t
DF
Output Enable High to
Output Hi-Z
EF = V
IL
20
(3)
25
35
ns
t
AXQX
t
OH
Address Transition to
Output Transition
EF = V
IL
, GF = V
IL
0
0
0
ns
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M36DR432A100ZA6T | 32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Flash Memory and 4 Mbit 256K x16 SRAM, Multiple Memory Product |
| M36DR432A120ZA6T | 32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Flash Memory and 4 Mbit 256K x16 SRAM, Multiple Memory Product |
| M36DR432AD | 32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Flash Memory and 4 Mbit 256Kb x16 SRAM, Multiple Memory Product |
| M36DR432AZA | 32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Flash Memory and 4 Mbit 256K x16 SRAM, Multiple Memory Product |
| M36DR432AD85ZA6T | 32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Flash Memory and 4 Mbit 256Kb x16 SRAM, Multiple Memory Product |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M36DR864CB85ZA6 | 功能描述:閃存 64M (4Mx16) 85ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M36DR864CB85ZA6T | 功能描述:閃存 64M (4Mx16) 85ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M36JGK90X | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:CRT |
| M36KPC000X01 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:CRT |
| M36L0R7040B0 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:128 Mbit (Multiple Bank, Multi-Level, Burst) Flash Memory and 16 Mbit PSRAM, 1.8V Supply, Multi-Chip Package |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。