- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄359056 > M36DR432AD (意法半導(dǎo)體) 32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Flash Memory and 4 Mbit 256Kb x16 SRAM, Multiple Memory Product PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | M36DR432AD |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Flash Memory and 4 Mbit 256Kb x16 SRAM, Multiple Memory Product |
| 中文描述： | 32兆位的2Mb x16插槽，雙行，頁閃存和4兆位的256Kb x16的SRAM，多個存儲產(chǎn)品 |
| 文件頁數(shù)： | 37/52頁 |
| 文件大小： | 834K |
| 代理商： | M36DR432AD |
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M36DR432AD, M36DR432BD
Table 22. Flash Data Polling and Toggle Bits AC Characteristics
Note: All other timings are defined in Read AC Characteristics
Figure 15. Flash Data Polling Flowchart
Figure 16. Flash Data Toggle Flowchart
Symbol
Parameter
M36DR432AD,
M36DR432BD
Unit
Min
Max
t
WHQ7V
Write Enable High to DQ7 Valid (Program, WF Controlled)
8
100
μs
Write Enable High to DQ7 Valid (Block Erase, WF Controlled)
0.8
4
s
t
EHQ7V
Chip Enable High to DQ7 Valid (Program, EF Controlled)
8
100
μs
Chip Enable High to DQ7 Valid (Block Erase, EF Controlled)
0.8
4
s
t
Q7VQV
Q7 Valid to Output Valid (Data Polling)
0
ns
t
WHQV
Write Enable High to Output Valid (Program)
8
100
μs
Write Enable High to Output Valid (Block Erase)
0.8
4
s
t
EHQV
Chip Enable High to Output Valid (Program)
8
100
μs
Chip Enable High to Output Valid (Block Erase)
0.8
4
s
READ DQ5 & DQ7
at VALID ADDRESS
START
READ DQ7
FAIL
PASS
AI06197
D=
DATA
YES
NO
YES
NO
DQ5
= 1
D=
DATA
YES
NO
READ
DQ5 & DQ6
START
READ DQ6
FAIL
PASS
AI06198
D=
TOGGLES
NO
NO
YES
YES
DQ5
= 1
NO
YES
D=
TOGGLES
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M36DR432AZA | 32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Flash Memory and 4 Mbit 256K x16 SRAM, Multiple Memory Product |
| M36DR432AD85ZA6T | 32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Flash Memory and 4 Mbit 256Kb x16 SRAM, Multiple Memory Product |
| M36DR432AD12ZA6T | PS MEDICAL SWITCHING 5V 8A |
| M36DR432AD10ZA6T | PS MEDICAL SWITCHING 24V 1.7A |
| M36DR432A120ZA6C | 32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Flash Memory and 4 Mbit 256K x16 SRAM, Multiple Memory Product |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M36DR432AD10ZA6T | 功能描述:組合存儲器 32M (2Mx16) 100ns RoHS:否 制造商:Microchip Technology 組織:512 K x 16 電源電壓-最大: 電源電壓-最小: 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 20 C 封裝 / 箱體:LFBGA-48 封裝:Tray |
| M36DR432AD12ZA6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Flash Memory and 4 Mbit 256Kb x16 SRAM, Multiple Memory Product |
| M36DR432AD85ZA6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Flash Memory and 4 Mbit 256Kb x16 SRAM, Multiple Memory Product |
| M36DR432ADZA | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Flash Memory and 4 Mbit 256Kb x16 SRAM, Multiple Memory Product |
| M36DR432AZA | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Flash Memory and 4 Mbit 256K x16 SRAM, Multiple Memory Product |
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