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參數資料
| 型號： | M36DR432B120ZA6C |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | 32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Flash Memory and 4 Mbit 256K x16 SRAM, Multiple Memory Product |
| 中文描述： | 32兆位的2Mb x16插槽，雙行，頁閃存和4兆位256K x16的SRAM，多個存儲產品 |
| 文件頁數： | 38/52頁 |
| 文件大?。?/td> | 834K |
| 代理商： | M36DR432B120ZA6C |
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M36DR432AD, M36DR432BD
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Figure 17. SRAM Read Mode AC Waveforms, Address Controlled with UBS = LBS = V
IL
Note: ES = Low, GS = Low, WS = High.
Figure 18. SRAM Read AC Waveforms, ES or GS Controlled
Note: Write Enable (WS) = High.
AI90217
tAVAV
tAVQV
tAXQX
A0-A17
DQ0-DQ15
VALID
DATA VALID
DATA VALID
AI07311
tAVAV
tAVQV
tAXQX
tELQV
tELQX
tEHQZ
tGLQV
tGLQX
tGHQZ
DATA VALID
A0-A17
ES
GS
DQ0-DQ15
VALID
tBLQV
tBLQX
tBHQZ
UBS, LBS
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M36DR432BD10ZA6T | 32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Flash Memory and 4 Mbit 256Kb x16 SRAM, Multiple Memory Product |
| M36DR432BD12ZA6T | 32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Flash Memory and 4 Mbit 256Kb x16 SRAM, Multiple Memory Product |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| M36DR432B120ZA6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Flash Memory and 4 Mbit 256K x16 SRAM, Multiple Memory Product |
| M36DR432BD | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Flash Memory and 4 Mbit 256Kb x16 SRAM, Multiple Memory Product |
| M36DR432BD10ZA6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Flash Memory and 4 Mbit 256Kb x16 SRAM, Multiple Memory Product |
| M36DR432BD12ZA6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Flash Memory and 4 Mbit 256Kb x16 SRAM, Multiple Memory Product |
| M36DR432BD85ZA6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Flash Memory and 4 Mbit 256Kb x16 SRAM, Multiple Memory Product |
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