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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M50FW080NB5TP |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 8 Mbit 1Mb x8, Uniform Block 3V Supply Firmware Hub Flash Memory |
| 中文描述： | 8兆1兆× 8，統(tǒng)一座3V電源閃存固件集線器 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 39/56頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 292K |
| 代理商： | M50FW080NB5TP |
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M50FW080
DC and AC parameters
39/55
DC characteristics
Table 20.
Symbol
Parameter
Interface
Test condition
Min
Max
Unit
V
IH
Input High Voltage
FWH
0.5 V
CC
V
CC
+ 0.5
V
A/A Mux
0.7 V
CC
V
CC
+ 0.3
V
V
IL
Input Low Voltage
FWH
–0.5
0.3 V
CC
V
A/A Mux
-0.5
0.8
V
V
IH
(INIT)
INIT Input High Voltage
FWH
1.35
V
CC
+ 0.5
V
V
IL
(INIT)
I
LI(1)
INIT Input Low Voltage
FWH
–0.5
0.2 V
CC
V
Input Leakage Current
0V
≤
V
IN
≤
V
CC
±10
μ
A
I
LI2
IC, IDx Input Leakage
Current
IC, ID0, ID1, ID2, ID3 = V
CC
200
μ
A
R
IL
IC, IDx Input Pull Low
Resistor
20
100
k
V
OH
Output High Voltage
FWH
I
OH
= –500
μ
A
0.9 V
CC
V
A/A Mux
I
OH
= –100
μ
A
V
CC
– 0.4
V
V
OL
Output Low Voltage
FWH
I
OL
= 1.5mA
0.1 V
CC
V
A/A Mux
I
OL
= 1.8mA
0V
≤
V
OUT
≤
V
CC
0.45
V
I
LO
Output Leakage Current
±10
μ
A
V
PP1
V
PP
Voltage
3
3.6
V
V
PPH
V
PP
Voltage (Fast
Program/Fast Erase)
11.4
12.6
V
V
PPLK(2)
V
LKO(2)
V
PP
Lockout Voltage
1.5
V
V
CC
Lockout Voltage
1.8
2.3
V
I
CC1
Supply Current
(Standby)
FWH
FWH4 = 0.9V
CC
, V
PP
= V
CC
All other inputs 0.9V
CC
to 0.1V
CC
V
CC
= 3.6 V, f(CLK) = 33 MHz
100
μ
A
I
CC2
Supply Current
(Standby)
FWH
FWH4 = 0.1V
CC
, V
PP
= V
CC
All other inputs 0.9V
CC
to 0.1V
CC
V
CC
= 3.6 V, f(CLK) = 33 MHz
10
mA
I
CC3
Supply Current
(Any internal operation
active)
FWH
V
CC
= V
CC
max, V
PP
= V
CC
f(CLK) = 33 MHz
I
OUT
= 0 mA
60
mA
I
CC4
Supply Current (Read)
A/A Mux
G = V
IH
, f = 6MHz
20
mA
I
CC5(2)
Supply Current
(Program/Erase)
A/A Mux
Program/Erase Controller Active
20
mA
I
PP
V
PP
Supply Current
(Read/Standby)
V
PP
>
V
CC
400
μ
A
I
PP1(2)
V
PP
Supply Current
(Program/Erase active)
V
PP
= V
CC
40
mA
V
PP
= 12V ± 5%
15
mA
1.
Input leakage currents include High-Z output leakage for all bi-directional buffers with tri-state outputs.
2.
Sampled only, not 100% tested.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M50LPW002 | 2 Mbit 256Kb x8, Boot Block 3V Supply Low Pin Count Flash Memory |
| M50LPW002K | 2 Mbit 256Kb x8, Boot Block 3V Supply Low Pin Count Flash Memory |
| M50LPW002K1T | 2 Mbit 256Kb x8, Boot Block 3V Supply Low Pin Count Flash Memory |
| M50LPW002K5T | 2 Mbit 256Kb x8, Boot Block 3V Supply Low Pin Count Flash Memory |
| M50LPW012 | 2 Mbit 256Kb x8, Boot Block 3V Supply Low Pin Count Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M50G1041 | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:Multilayer Ceramic Capacitors |
| M50G1041-F | 制造商:CDE 制造商全稱(chēng):Cornell Dubilier Electronics 功能描述:Multilayer Ceramic Capacitors COG (NPO). X7R & Z5U Capacitors |
| M50G104J1 | 功能描述:CAP CER 0.1UF 100V 5% RADIAL RoHS:否 類(lèi)別:電容器 >> 陶瓷 系列:M50 標(biāo)準(zhǔn)包裝:4,000 系列:- 電容:1000pF 電壓 - 額定:50V 容差:±10% 溫度系數(shù):X7R 安裝類(lèi)型:表面貼裝，MLCC 工作溫度:-55°C ~ 125°C 應(yīng)用:自動(dòng) 額定值:AEC-Q200 封裝/外殼:0805（2012 公制） 尺寸/尺寸:0.079" L x 0.047" W（2.00mm x 1.20mm） 高度 - 座高（最大）:- 厚度（最大）:- 引線間隔:- 特點(diǎn):- 包裝:帶卷 (TR) 引線型:- |
| M50G1241 | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:Multilayer Ceramic Capacitors |
| M50G1241-F | 制造商:CDE 制造商全稱(chēng):Cornell Dubilier Electronics 功能描述:Multilayer Ceramic Capacitors COG (NPO). X7R & Z5U Capacitors |
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