參數(shù)資料
型號(hào)： M52D128168A-10TG
廠(chǎng)商： ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC
元件分類(lèi)： DRAM
英文描述： 2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
中文描述： 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PDSO54
封裝： 0.400 INCH, LEAD FREE, TSOP2-54
文件頁(yè)數(shù)： 21/47頁(yè)
文件大?。?/td> 1209K
代理商： M52D128168A-10TG
ES MT
4. CAS Interrupt (II) : Read Interrupted by Write & DQM
Preliminary
M52D128168A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Revision
:
1.0
Publication Date
:
May. 2007
21/47
CLK
i ) C M D
DQ M
DQ
D1
D3
D0
D2
W R
i i ) C M D
DQ M
DQ
i i i ) C M D
DQ M
DQ
i v) C M D
DQ M
DQ
D1
D3
D0
D2
R D
W R
R D
W R
D1
D3
D0
D2
D1
D3
D0
D2
R D
W R
H i - Z
Q0
* Not e 1
H i - Z
H i - Z
(a) CL=2 ,BL= 4
R D
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M52D128168A-7.5BG 2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
M52D128168A-7.5TG 2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
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M52D16161A-10BG 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM
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參數(shù)描述
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M52D128168A-7.5BIG 制造商:ESMT 制造商全稱(chēng):Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
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M52D128168A-7.5TIG 制造商:ESMT 制造商全稱(chēng):Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
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