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參數(shù)資料
| 型號： | M52D128168A-7.5BG |
| 廠商： | ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PBGA54 |
| 封裝： | 8 X 8 MM, LEAD FREE, FBGA-54 |
| 文件頁數(shù)： | 33/47頁 |
| 文件大小： | 1209K |
| 代理商： | M52D128168A-7.5BG |
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ES MT
Read & Write Cycle at Same Bank @ Burst Length = 4
Preliminary
M52D128168A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Revision
:
1.0
Publication Date
:
May. 2007
33/47
*Note :
1. Minimum row cycle times is required to complete internal DRAM operation.
2. Row precharge can interrupt burst on any cycle. [CAS Latency-1] number of valid output data is
available after Row precharge. Last valid output will be Hi-Z (t
SHZ
) after the clock.
3. Output will be Hi-Z after the end of burst. (1,2,4,8 & Full page bit burst)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M52D128168A-7.5TG | 2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M52D16161A | 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M52D16161A-10BG | 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M52D16161A-10TG | 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M52D32162A | 1M x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M52D128168A-7BG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:2M x 16 Bit x 4 Banks Mobile Synchronous DRAM |
| M52D128168A-7TG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:2M x 16 Bit x 4 Banks Mobile Synchronous DRAM |
| M52D16161A | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 16Bit x 2Banks Mobile Synchronous DRAM |
| M52D16161A_09 | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 16Bit x 2Banks Mobile Synchronous DRAM |
| M52D16161A_1 | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 16Bit x 2Banks Mobile Synchronous DRAM |
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