- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄377830 > M52D128168A (Elite Semiconductor Memory Technology Inc.) 2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | M52D128168A |
| 廠商： | Elite Semiconductor Memory Technology Inc. |
| 英文描述： | 2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 200萬× 16位× 4個銀行同步DRAM |
| 文件頁數(shù)： | 2/47頁 |
| 文件大?。?/td> | 1209K |
| 代理商： | M52D128168A |
第1頁當(dāng)前第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁
ES MT
Preliminary
M52D128168A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Revision
:
1.0
Publication Date
:
May. 2007
2/47
VSS
DQ15
DQ14
DQ13
DQ12
DQ11
DQ10
DQ9
DQ8
NC
UDQM
CLK
NC
A11
A8
A7
VSS
A5
VDDQ
DQ0
VSSQ
DQ2
VDDQ
DQ4
VDD
LDQM
CAS
RAS
BA0
BA1
A0
A1
A3
A2
1
2
3
4
5
6
7
8
9
A
B
C
D
E
F
G
H
J
54 Ball FBGA
(m(8x8mm)
VSSQ
VDDQ
VSSQ
VDDQ
VSS
CKE
A9
A6
A4
VDD
DQ1
DQ3
DQ7
WE
CS
A10
VDD
VSSQ
DQ6
DQ5
SDRAM
2M x 16 Bit x 4 Banks
Synchronous DRAM
FEATURES
y
1.8V power supply
y
LVTTL compatible with multiplexed address
y
Four banks operation
y
MRS cycle with address key programs
- CAS Latency (2 & 3)
- Burst Length (1, 2, 4, 8 & full page)
- Burst Type (Sequential & Interleave)
y
EMRS cycle with address
y
All inputs are sampled at the positive going edge of the
system clock
y
Special function support
-
PASR (Partial Array Self Refresh)
-
TCSR (Temperature Compensated Self Refresh)
-
DS (Driver Strength)
y
DQM for masking
y
Auto & self refresh
y
64ms refresh period (4K cycle)
ORDERING INFORMATION
GENERAL DESCRIPTION
The M52D128168A is 134,217,728 bits synchronous high data rate Dynamic RAM organized as 4 x 2,097,152 words
by 16 bits. Synchronous design allows precise cycle controls with the use of system clock I/O transactions are possible on
every clock cycle. Range of operating frequencies, programmable burst length and programmable latencies allow the same
device to be useful for a variety of high bandwidth, high performance memory system applications.
PIN ASSIGNMENT (Top View)
PRODUCT NO.
MAX
FREQ.
PACKAGE
Comments
M52D128168A-7.5TG 133MHz
54 TSOP II
Pb-free
M52D128168A-7.5BG 133MHz 54 Ball FBGA
Pb-free
M52D128168A-10TG
100MHz
54 TSOP II
Pb-free
M52D128168A-10BG
100MHz 54 Ball FBGA
Pb-free
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
V
DD
DQ0
V
DDQ
DQ1
DQ2
V
SSQ
DQ3
DQ4
V
DDQ
DQ5
DQ6
V
SSQ
DQ7
V
DD
LDQM
WE
CAS
RAS
CS
BA0
BA1
A
10
/AP
A
0
A
1
A
2
A
3
V
DD
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
V
SS
DQ15
V
SSQ
DQ14
DQ13
V
DDQ
DQ12
DQ11
V
SSQ
DQ10
DQ9
V
DDQ
DQ8
V
SS
NC
UDQM
CLK
CKE
NC
A
11
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
V
SS
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M52D128168A-10BG | 2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M52D128168A-10TG | 2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M52D128168A-7.5BG | 2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M52D128168A-7.5TG | 2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M52D16161A | 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M52D128168A_09 | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:2M x 16 Bit x 4 Banks Mobile Synchronous DRAM |
| M52D128168A_1 | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M52D128168A-10BG | 制造商:ELITE SEMICONDUCTOR 功能描述:SDRAM 128MB 1.8V 100MHZ FBGA54 |
| M52D128168A-10BIG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M52D128168A-10TG | 制造商:ELITE SEMICONDUCTOR 功能描述:SDRAM 128MB 1.8V 100MHZ TSOPII54 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。