參數(shù)資料
型號(hào)： M52D128168A
廠商： Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
英文描述： 2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
中文描述： 200萬(wàn)× 16位× 4個(gè)銀行同步DRAM
文件頁(yè)數(shù)： 34/47頁(yè)
文件大?。?/td> 1209K
代理商： M52D128168A
ES MT
Preliminary
M52D128168A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Revision
:
1.0
Publication Date
:
May. 2007
34/47
Page Read & Write Cycle at Same Bank @ Burst Length = 4
Note : 1. To Write data before burst read ends. DQM should be asserted three cycle prior to write command to avoid
bus contention.
2. Row precharge will interrupt writing. Last data input , t
RDL
before row precharge , will be written.
3. DQM should mask invalid input data on precharge command cycle when asserting precharge before
end of burst. Input data after Row precharge cycle will be masked internally.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M52D128168A-10BG 2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
M52D128168A-10TG 2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
M52D128168A-7.5BG 2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
M52D128168A-7.5TG 2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
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參數(shù)描述
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