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參數(shù)資料
| 型號： | M52S128168A |
| 廠商： | Elite Semiconductor Memory Technology Inc. |
| 英文描述： | 1M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 100萬× 16位× 4個銀行同步DRAM |
| 文件頁數(shù)： | 36/47頁 |
| 文件大小： | 1213K |
| 代理商： | M52S128168A |
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ES MT
Preliminary
M52S128168A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Revision
:
1.0
Publication Date
:
May. 2007
36/47
Page Write Cycle at Different Bank @ Burst Length = 4
*Note : 1. To interrupt burst write by Row precharge , DQM should be asserted to mask invalid input data.
2. To interrupt burst write by Row precharge , both the write and the precharge banks must be the same.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M52S128168A-10BG | 1M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M52S128168A-10TG | 1M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M52S128168A-7.5BG | 1M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M52S128168A-7.5TG | 1M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M52S16161A | 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M52S128168A_08 | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M52S128168A-10BG | 制造商:ELITE SEMICONDUCTOR 功能描述:SDRAM 128MB 2.5V 100MHZ FBGA54 |
| M52S128168A-10TG | 制造商:ELITE SEMICONDUCTOR 功能描述:SDRAM 128MB 2.5V 100MHZ TSOPII54 |
| M52S128168A-7.5BG | 制造商:ELITE SEMICONDUCTOR 功能描述:SDRAM 128MB 2.5V 133MHZ FBGA54 制造商:ELITE SEMICONDUCTOR 功能描述:SDRAM, 128MB, 2.5V, 133MHZ, FBGA54 制造商:ELITE SEMICONDUCTOR 功能描述:DRAM IC; Page Size:128MB; Memory Case Style:FBGA; No. of Pins:54; IC Interface Type:Parallel; Operating Temperature Min:0C; Operating Temperature Max:70C; Filter Terminals:Surface Mount; Frequency:133MHz; Interface Type:Parallel ;RoHS Compliant: Yes |
| M52S128168A-7.5TG | 制造商:ELITE SEMICONDUCTOR 功能描述:SDRAM 128MB 2.5V 133MHZ TSOPII54 |
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