參數(shù)資料
型號(hào)： M52S128168A
廠商： Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
英文描述： 1M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
中文描述： 100萬(wàn)× 16位× 4個(gè)銀行同步DRAM
文件頁(yè)數(shù)： 42/47頁(yè)
文件大?。?/td> 1213K
代理商： M52S128168A
ES MT
Preliminary
M52S128168A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Revision
:
1.0
Publication Date
:
May. 2007
42/47
Active/Precharge Power Down Mode @ CAS Latency = 2, Burst Length = 4
*Note: 1. Both banks should be in idle state prior to entering precharge power down mode.
2. CKE should be set high at least 1CLK + t
SS
prior to Row active command.
3. Can not violate minimum refresh specification. (64ms)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M52S128168A-10BG 1M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
M52S128168A-10TG 1M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
M52S128168A-7.5BG 1M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
M52S128168A-7.5TG 1M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
M52S16161A 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
M52S128168A_08 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
M52S128168A-10BG 制造商:ELITE SEMICONDUCTOR 功能描述:SDRAM 128MB 2.5V 100MHZ FBGA54
M52S128168A-10TG 制造商:ELITE SEMICONDUCTOR 功能描述:SDRAM 128MB 2.5V 100MHZ TSOPII54
M52S128168A-7.5BG 制造商:ELITE SEMICONDUCTOR 功能描述:SDRAM 128MB 2.5V 133MHZ FBGA54 制造商:ELITE SEMICONDUCTOR 功能描述:SDRAM, 128MB, 2.5V, 133MHZ, FBGA54 制造商:ELITE SEMICONDUCTOR 功能描述:DRAM IC; Page Size:128MB; Memory Case Style:FBGA; No. of Pins:54; IC Interface Type:Parallel; Operating Temperature Min:0C; Operating Temperature Max:70C; Filter Terminals:Surface Mount; Frequency:133MHz; Interface Type:Parallel ;RoHS Compliant: Yes
M52S128168A-7.5TG 制造商:ELITE SEMICONDUCTOR 功能描述:SDRAM 128MB 2.5V 133MHZ TSOPII54
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