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參數(shù)資料
| 型號： | M52S128168A |
| 廠商： | Elite Semiconductor Memory Technology Inc. |
| 英文描述： | 1M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 100萬× 16位× 4個銀行同步DRAM |
| 文件頁數(shù)： | 40/47頁 |
| 文件大?。?/td> | 1213K |
| 代理商： | M52S128168A |
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ES MT
Preliminary
M52S128168A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Revision
:
1.0
Publication Date
:
May. 2007
40/47
Read interrupted by Precharge Command & Read Burst Stop Cycle @ Burst Length = Full page
*Note : 1. About the valid DQs after burst stop, it is same as the case of RAS interrupt.
Both cases are illustrated above timing diagram. See the label 1,2 on them.
But at burst write, Burst stop and RAS interrupt should be compared carefully.
Refer the timing diagram of “Full page write burst stop cycles”.
2. Burst stop is valid at every burst length.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M52S128168A-10BG | 1M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M52S128168A-10TG | 1M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M52S128168A-7.5BG | 1M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M52S128168A-7.5TG | 1M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M52S16161A | 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M52S128168A_08 | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M52S128168A-10BG | 制造商:ELITE SEMICONDUCTOR 功能描述:SDRAM 128MB 2.5V 100MHZ FBGA54 |
| M52S128168A-10TG | 制造商:ELITE SEMICONDUCTOR 功能描述:SDRAM 128MB 2.5V 100MHZ TSOPII54 |
| M52S128168A-7.5BG | 制造商:ELITE SEMICONDUCTOR 功能描述:SDRAM 128MB 2.5V 133MHZ FBGA54 制造商:ELITE SEMICONDUCTOR 功能描述:SDRAM, 128MB, 2.5V, 133MHZ, FBGA54 制造商:ELITE SEMICONDUCTOR 功能描述:DRAM IC; Page Size:128MB; Memory Case Style:FBGA; No. of Pins:54; IC Interface Type:Parallel; Operating Temperature Min:0C; Operating Temperature Max:70C; Filter Terminals:Surface Mount; Frequency:133MHz; Interface Type:Parallel ;RoHS Compliant: Yes |
| M52S128168A-7.5TG | 制造商:ELITE SEMICONDUCTOR 功能描述:SDRAM 128MB 2.5V 133MHZ TSOPII54 |
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