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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M52S32162A-10BG |
| 廠商： | ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | 1M x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 2M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 8 ns, PBGA54 |
| 封裝： | 8 X 8 MM, LEAD FREE, VFBGA-54 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 20/30頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 787K |
| 代理商： | M52S32162A-10BG |
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ES MT
Read & Write Cycle with auto Precharge @ Burst Length =4
M52S32162A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Publication Date
:
Apr. 2007
Revision
:
1.2
20/30
*Note: 1.t
CDL
Should be controlled to meet minimum t
RAS
before internal precharge start
(In the case of Burst Length=1 & 2 and BRSW mode)
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
C L O C K
C K E
C A S
A D D R
W E
DQ
DQ M
A10/AP
BA
CL= 2
CL=3
Row Active
( A - Bank )
Row Active
( B - Bank )
Read with
Auto Precharge
( A - Bank )
Auto Precharge
Start Point
(B- Bank)
: D o n ' t C a r e
Qa1
Qa2
Qa3
Db1
Db2
Db3
Db0
Qa0
Ra
Cb
Ra
Ca
Rb
Rb
Qa1
Qa2
Qa3
Db1
Db2
Db3
Db0
Qa0
W rite with
Auto Precharge
(B-Bank)
HIGH
Auto Precharge
Start Point
( A - Bank)
CS
RAS
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M52S32162A-10TG | 1M x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M52S32162A-7.5BG | 1M x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M52S32162A-7.5TG | 1M x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M538002 | 524,288-Word x 16-Bit or 1,048,576 x 8-Bit Mask ROM |
| M541 | 262,214-Word x 12-Bit Field Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M52S32162A-10BIG | 制造商:ELITE SEMICONDUCTOR 功能描述:SDRAM 32MB 2.5V 100MHZ FBGA54 |
| M52S32162A-10TG | 制造商:ESMT 制造商全稱(chēng):Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:1M x 16Bit x 2Banks Mobile Synchronous DRAM |
| M52S32162A-10TIG | 制造商:ELITE SEMICONDUCTOR 功能描述:SDRAM 32MB 2.5V 100MHZ TSOPII54 |
| M52S32162A-6BG | 制造商:ESMT 制造商全稱(chēng):Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:1M x 16Bit x 2Banks Mobile Synchronous DRAM |
| M52S32162A-6TG | 制造商:ESMT 制造商全稱(chēng):Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:1M x 16Bit x 2Banks Mobile Synchronous DRAM |
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