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參數(shù)資料
| 型號： | M52S32162A-10BG |
| 廠商： | ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 1M x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 2M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 8 ns, PBGA54 |
| 封裝： | 8 X 8 MM, LEAD FREE, VFBGA-54 |
| 文件頁數(shù)： | 28/30頁 |
| 文件大?。?/td> | 787K |
| 代理商： | M52S32162A-10BG |
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ES MT
PACKING DIMENSIONS
54-LEAD TSOP(II) SDRAM (400mil) (1:3)
M52S32162A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Publication Date
:
Apr. 2007
Revision
:
1.2
28/30
Symbol
A
A1
A2
b
b1
c
c1
D
E
E1
L
L1
e
Θ
Dimension in mm
Min Norm
0.05 0.10
0.95 1.00
0.25
0.25 0.35
0.12
0.10 0.127 0.16 0.004 0.005 0.006
22.22 BSC
11.76 BSC
10.16 BSC
0.40 0.50
0.60 0.016 0.020 0.024
0.80 REF
0.80 BSC
0
°
10
°
Dimension in inch
Min
Norm
0.15 0.002 0.004 0.006
1.05 0.037 0.039 0.041
0.45 0.010
0.40 0.010 0.014 0.016
0.21 0.005
Max
Max
1.20
0.047
0.018
0.008
0.875 BSC
0.463 BSC
0.400 BSC
0.031 REF
0.031 BSC
0
°
10
°
O
L
DETAIL "A"
SECTION B-B
B
B
0.10
-C-
D
E
E
1
e
PLANE
SEATING
1
L
1
27
28
54
A
2
A
-H-
b
DETAIL A
-C-
IDENTIFIER
-C-
SEE
b
b
c
c
1
1
0.665 REF
0.21 REF
A
1
PIN1
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M52S32162A-10TG | 1M x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M52S32162A-7.5BG | 1M x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M52S32162A-7.5TG | 1M x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M538002 | 524,288-Word x 16-Bit or 1,048,576 x 8-Bit Mask ROM |
| M541 | 262,214-Word x 12-Bit Field Memory |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M52S32162A-10BIG | 制造商:ELITE SEMICONDUCTOR 功能描述:SDRAM 32MB 2.5V 100MHZ FBGA54 |
| M52S32162A-10TG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:1M x 16Bit x 2Banks Mobile Synchronous DRAM |
| M52S32162A-10TIG | 制造商:ELITE SEMICONDUCTOR 功能描述:SDRAM 32MB 2.5V 100MHZ TSOPII54 |
| M52S32162A-6BG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:1M x 16Bit x 2Banks Mobile Synchronous DRAM |
| M52S32162A-6TG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:1M x 16Bit x 2Banks Mobile Synchronous DRAM |
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