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參數資料
| 型號： | M58LW064D110N6E |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | 64 Mbit (8Mb x8, 4Mb x16, Uniform Block) 3V Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 64兆位（和8Mb × 8，4Mb的x16插槽，統(tǒng)一座）3V電源快閃記憶體 |
| 文件頁數： | 29/51頁 |
| 文件大?。?/td> | 349K |
| 代理商： | M58LW064D110N6E |
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M58LW064D
Figure 11. Write AC Waveform, Write Enable Controlled
Note: 1. V
IH
= Device Disabled (first edge of E0, E1 or E2), V
IL
= Device Enabled (first edge of E0, E1 or E2). Refer to Table 2 for more
details.
Table 17. Write AC Characteristics, Write Enable Controlled
Symbol
Parameter
Test Condition
M58LW064D
Unit
110
t
AVWH
Address Valid to Write Enable High
E = V
IL
Min
50
ns
t
DVWH
Data Input Valid to Write Enable High
E = V
IL
Min
50
ns
t
ELWL
Chip Enable Low to Write Enable Low
Min
0
ns
t
VPHWH
Program/Erase Enable High to Write Enable High
Min
0
ns
t
WHAX
Write Enable High to Address Transition
E = V
IL
Min
0
ns
t
WHBL
Write Enable High to Status/(Ready/Busy) low
Max
500
ns
t
WHDX
Write Enable High to Input Transition
E = V
IL
Min
0
ns
t
WHEH
Write Enable High to Chip Enable High
Min
0
ns
t
GHWL
Output Enable High to Write Enable Low
Min
20
ns
t
WHGL
Write Enable High to Output Enable Low
Min
35
ns
t
WHWL
Write Enable High to Write Enable Low
Min
30
ns
t
WLWH
Write Enable Low to Write Enable High
E = V
IL
Min
70
ns
AI06215
DQ0-DQ15
STS
(Ready/Busy mode)
W
A0-A22
E2, E1, E0
(1)
G
INPUT
VALID
tWHEH
tAVWH
tWLWH
tELWL
VPEN
tWHAX
tWHWL
tWHDX
tDVWH
tVPHWH
tWHGL
tGHWL
tWHBL
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M58LW064D110N6F | 64 Mbit (8Mb x8, 4Mb x16, Uniform Block) 3V Supply Flash Memory |
| M58LW064D110N6T | 64 Mbit (8Mb x8, 4Mb x16, Uniform Block) 3V Supply Flash Memory |
| M58LW128BZA | 128 Mbit 8Mb x16 or 4Mb x32, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
| M58LW128B150N6E | 128 Mbit 8Mb x16 or 4Mb x32, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
| M58LW128B150N6F | 128 Mbit 8Mb x16 or 4Mb x32, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| M58LW064D110N6F | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:64 Mbit (8Mb x8, 4Mb x16, Uniform Block) 3V Supply Flash Memory |
| M58LW064D110N6T | 功能描述:閃存 8Mx8 or 4Mx16 110ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數據總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M58LW064D110ZA | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:64 Mbit (8Mb x8, 4Mb x16, Uniform Block) 3V Supply Flash Memory |
| M58LW064D110ZA1 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:64 Mbit (8Mb x8, 4Mb x16, Uniform Block) 3V Supply Flash Memory |
| M58LW064D110ZA1E | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:64 Mbit (8Mb x8, 4Mb x16, Uniform Block) 3V Supply Flash Memory |
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