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參數(shù)資料
| 型號： | M58LW064D11N1T |
| 廠商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 4M X 16 FLASH 3V PROM, 110 ns, PDSO56 |
| 封裝： | 14 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-56 |
| 文件頁數(shù)： | 17/50頁 |
| 文件大小： | 280K |
| 代理商： | M58LW064D11N1T |
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M58LW064D
24/50
DC AND AC PARAMETERS
This section summarizes the operating and mea-
surement conditions, and the DC and AC charac-
teristics of the device. The parameters in the DC
and AC characteristics Tables that follow, are de-
rived from tests performed under the Measure-
ment
Conditions
summarized
in
Table
12,
Operating and AC Measurement Conditions. De-
signers should check that the operating conditions
in their circuit match the measurement conditions
when relying on the quoted parameters.
Table 12. Operating and AC Measurement Conditions
Figure 7. AC Measurement Input Output
Waveform
Figure 8. AC Measurement Load Circuit
Table 13. Capacitance
Note: 1. TA =25°C, f = 1 MHz
2. Sampled only, not 100% tested.
Parameter
M58LW064D
Units
Min
Max
Supply Voltage (VDD)
2.7
3.6
V
Input/Output Supply Voltage (VDDQ)
1.8
VDD
V
Ambient Temperature (TA)
Grade 1
0
70
°C
Grade 6
–40
85
°C
Load Capacitance (CL)30
pF
Input Pulses Voltages
0to VDDQ
V
Input and Output Timing Ref. Voltages
0.5 VDDQ
V
AI00610
VDDQ
0V
0.5 VDDQ
AI03459
1.3V
DQS
CL
CL includes JIG capacitance
3.3k
1N914
DEVICE
UNDER
TEST
0.1
F
VDD
VDDQ
0.1
F
Symbol
Parameter
Test Condition
Typ
Max
Unit
CIN
Input Capacitance
VIN =0V
68
pF
COUT
Output Capacitance
VOUT =0V
812
pF
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M58WR032FT60ZB6T | 2M X 16 FLASH 1.8V PROM, 60 ns, PBGA56 |
| M58WR064EBZB | 64 Mbit 4Mb x 16, Multiple Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| M58WR128EBZB | 128 Mbit 8Mb x 16, Multiple Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| M5913 | COMBINED SINGLE CHIP PCM CODEC AND FILTER |
| M5913B1 | COMBINED SINGLE CHIP PCM CODEC AND FILTER |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M58LW128A | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:128 Mbit 8Mb x16 or 4Mb x32, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
| M58LW128A150N1 | 功能描述:閃存 8Mx16 or 4Mx32 150ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M58LW128A150N1E | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:128 Mbit 8Mb x16 or 4Mb x32, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
| M58LW128A150N1F | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:128 Mbit 8Mb x16 or 4Mb x32, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
| M58LW128A150N1T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:128 Mbit 8Mb x16 or 4Mb x32, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
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