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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M58LW128B150N1F |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 128 Mbit 8Mb x16 or 4Mb x32, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
| 中文描述： | 128兆位和8Mb x16或4Mb的X32號(hào)，統(tǒng)一座，突發(fā)3V電源閃存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 34/65頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 932K |
| 代理商： | M58LW128B150N1F |
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M58LW128A, M58LW128B
34/65
Table 16. DC Characteristics
Note: 1. Biasing RP pin to V
HH
is allowed for a maximum cumulative period of 80 hours.
Symbol
Parameter
Test Condition
Min
Max
Unit
I
LI
Input Leakage Current
0V
≤
V
IN
≤
V
DDQ
±1
μA
I
LO
Output Leakage Current
0V
≤
V
OUT
≤
V
DDQ
±5
μA
I
DD
Supply Current (Random Read)
E = V
IL
, G = V
IH
, f
add
= 6MHz
30
mA
I
DDB
Supply Current (Burst Read)
E = V
IL
, G = V
IH
, f
clock
= 50MHz
50
mA
I
DD1
Supply Current (Standby)
E = V
IH
, RP = V
IH
120
μA
I
DD2
Supply Current (Reset/Power-Down)
RP = V
IL
120
μA
I
DD3
Supply Current (Program or Erase,
Set Protect Bit, Erase Protect Bit)
Program or Erase operation in
progress
50
mA
I
DD4
Supply Current
(Erase/Program Suspend)
E = V
IH
50
mA
V
IL
Input Low Voltage
–0.5
0.8
V
V
IH
Input High Voltage
V
DDQ
–0.8
V
DDQ
+ 0.5
V
V
OL
Output Low Voltage
I
OL
= 100μA
0.1
V
V
OH
Output High Voltage
I
OH
= –100μA
V
DDQ
–0.1
V
V
HH (1)
RP Hardware Block Unprotect
Voltage
Block Erase in progress,
Write to Buffer and Program
8.5
9.5
V
I
HH
RP Hardware Block Unprotect
Current
RP = V
HH
1
μ
A
V
LKO
V
DD
Supply Voltage (Erase and
Program lockout)
2.2
V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M58LW128B150N1T | RECEPTACLE HOUSING, 5WAY |
| M58LW64D | 64 Mbit (8Mb x8, 4Mb x16, Uniform Block) 3V Supply Flash Memory |
| M58MR016C | 16 Mbit 1Mb x16, Mux I/O, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| M58MR032C | 32 Mbit 2Mb x16, Mux I/O, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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