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參數(shù)資料
| 型號： | M58LW128B150N6E |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 128 Mbit 8Mb x16 or 4Mb x32, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
| 中文描述： | 128兆位和8Mb x16或4Mb的X32號，統(tǒng)一座，突發(fā)3V電源閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 33/65頁 |
| 文件大小： | 932K |
| 代理商： | M58LW128B150N6E |
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M58LW128A, M58LW128B
DC AND AC PARAMETERS
This section summarizes the operating and mea-
surement conditions, and the DC and AC charac-
teristics of the device. The parameters in the DC
and AC characteristics Tables that follow, are de-
rived from tests performed under the Measure-
ment Conditions summarized in Table 14,
Operating and AC Measurement Conditions. De-
signers should check that the operating conditions
in their circuit match the measurement conditions
when relying on the quoted parameters.
Table 14. Operating and AC Measurement Conditions
Figure 10. AC Measurement Input Output
Waveform
Figure 11. AC Measurement Load Circuit
Table 15. Capacitance
Note: 1. T
A
= 25°C, f = 1 MHz
2. Sampled only, not 100% tested.
Parameter
M58LW128
Units
Min
Max
Supply Voltage (V
DD
) M58LW128
2.7
3.6
V
Input/Output Supply Voltage (V
DDQ
)
1.8
V
DD
V
Ambient Temperature (T
A
)
Grade 1
0
70
°C
Grade 6
–40
85
°C
Load Capacitance (C
L
)
30
pF
Clock Rise and Fall Times
3
ns
Input Rise and Fall Times
4
ns
Input Pulses Voltages
0 to V
DDQ
V
Input and Output Timing Ref. Voltages
0.5 V
DDQ
V
AI00610
VDDQ
0V
0.5 VDDQ
AI03459
1.3V
DQS
CL
CL includes JIG capacitance
3.3k
1N914
DEVICE
UNDER
TEST
0.1μF
VDD
VDDQ
0.1μF
Symbol
Parameter
Test Condition
Typ
Max
Unit
C
IN
Input Capacitance
V
IN
= 0V
6
8
pF
C
OUT
Output Capacitance
V
OUT
= 0V
8
12
pF
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M58LW128B150N6F | 128 Mbit 8Mb x16 or 4Mb x32, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
| M58LW128B150N6T | 128 Mbit 8Mb x16 or 4Mb x32, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
| M58LW128B150ZA1E | 128 Mbit 8Mb x16 or 4Mb x32, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
| M58LW128B150ZA1F | 128 Mbit 8Mb x16 or 4Mb x32, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
| M58LW128B150ZA1T | 128 Mbit 8Mb x16 or 4Mb x32, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M58LW128B150N6F | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:128 Mbit 8Mb x16 or 4Mb x32, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
| M58LW128B150N6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:128 Mbit 8Mb x16 or 4Mb x32, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
| M58LW128B150ZA1E | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:128 Mbit 8Mb x16 or 4Mb x32, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
| M58LW128B150ZA1F | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:128 Mbit 8Mb x16 or 4Mb x32, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
| M58LW128B150ZA1T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:128 Mbit 8Mb x16 or 4Mb x32, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
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