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參數(shù)資料
| 型號： | M58LW128B150N6E |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 128 Mbit 8Mb x16 or 4Mb x32, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
| 中文描述： | 128兆位和8Mb x16或4Mb的X32號，統(tǒng)一座，突發(fā)3V電源閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 59/65頁 |
| 文件大?。?/td> | 932K |
| 代理商： | M58LW128B150N6E |
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M58LW128A, M58LW128B
Figure 27. Erase Flowchart and Pseudo Code
Note: 1. If an error is found, the Status Register must be cleared (Clear Status Register Command) before further Program or Erase oper-
ations.
Write 20h
AI00613C
Start
Write D0h to
Block Address
Read Status
Register
YES
NO
b7 = 1
YES
NO
b3 = 0
YES
b4, b5 = 1,1
VPP Invalid
Error (1)
Command
Sequence Error
Erase command:
– write 20h
– write D0h to Block Address
(A12-A17)
(memory enters read Status
Register after the Erase command)
do:
– read status register
– if Program/Erase Suspend command
given execute suspend erase loop
while b7 = 1
If b3 = 1, VPP invalid error:
– error handler
If b4, b5 = 1,1 Command Sequence error:
– error handler
NO
NO
b5 = 0
Erase
Error (1)
YES
NO
Suspend
Suspend
Loop
If b5 = 1, Erase error:
– error handler
YES
End
YES
NO
b1 = 0
Erase to Protected
Block Error
If b1 = 1, Erase to Protected Block Error:
– error handler
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M58LW128B150N6F | 128 Mbit 8Mb x16 or 4Mb x32, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
| M58LW128B150N6T | 128 Mbit 8Mb x16 or 4Mb x32, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
| M58LW128B150ZA1E | 128 Mbit 8Mb x16 or 4Mb x32, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M58LW128B150N6F | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:128 Mbit 8Mb x16 or 4Mb x32, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
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