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參數資料
| 型號： | M59DR032BN |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | 32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
| 中文描述： | 32兆位的2Mb x16插槽，雙行，第低壓閃存 |
| 文件頁數： | 21/38頁 |
| 文件大?。?/td> | 270K |
| 代理商： | M59DR032BN |
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M59DR032A, M59DR032B
Table 23. Capacitance
(1)
(T
A
= 25 °C, f = 1 MHz)
Symbol
Note: 1. Sampled only, not 100% tested.
Parameter
Test Condition
Min
Max
Unit
C
IN
Input Capacitance
V
IN
= 0V
6
pF
C
OUT
Output Capacitance
V
OUT
= 0V
12
pF
Figure 4. AC Testing Load Circuit
AI02316
VDDQ / 2
OUT
CL = 30pF
CL includes JIG capacitance
3.3k
1N914
DEVICE
UNDER
TEST
Table 24. AC Measurement Conditions
Input Rise and Fall Times
≤
4ns
Input Pulse Voltages
0 to V
DDQ
Input and Output Timing Ref. Voltages
V
DDQ
/2
Figure 3. Testing Input/Output Waveforms
AI02315
VDDQ
0V
VDDQ/2
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M5L23TGN | 3.2x5 mm, 3.3 or 5.0 Volt, HCMOS, Clock Oscillator |
| M5M29KE131BTP | 134,217,728-BIT (16,777,216-WORD BY 8-BIT / 8,388,608-WORD BY 16-BIT) CMOS FLASH MEMORY |
| M5M5256DFP | 262144-BIT (32768-WORD BY 8-BIT) CMOS STATIC RAM |
| M5M5256DFP-55XL | 262144-BIT (32768-WORD BY 8-BIT) CMOS STATIC RAM |
| M5M5256DFP-70LL | 262144-BIT (32768-WORD BY 8-BIT) CMOS STATIC RAM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| M59DR032BZB | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
| M59DR032C100N1T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
| M59DR032C100N6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
| M59DR032C100ZB1T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
| M59DR032C100ZB6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
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