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參數(shù)資料
| 型號： | MB8116165A-60 |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | CMOS 1M ×16 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 1M ×16 位超級頁面存取模式動態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 的CMOS 100萬× 16位的超頁模式動態(tài)RAM的CMOS（100萬× 16位超級頁面存取模式動態(tài)內(nèi)存） |
| 文件頁數(shù)： | 14/30頁 |
| 文件大?。?/td> | 376K |
| 代理商： | MB8116165A-60 |
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14
MB8116165A-60/MB8116165A-70
Fig. 6 – EARLY WRITE CYCLE
RAS
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
LCAS
or
UCAS
WE
DQ
(Input)
A
0
to A
11
V
OH
V
OL
DQ
(Output)
DESCRIPTION
A write cycle is similar to a read cycle except WE is set to a Low state and OE is a “H” or “L” signal. A write cycle can be implemented
in either of three ways–early write, delayed write, or read-modify-write. During all write cycles, timing parameters t
RWL
, t
CWL
, t
RAL
and t
CAL
must be satisfied. In the early write cycle shown above t
WCS
satisfied, data on the DQ pins are latched with the falling edge
of LCAS or UCAS and written into memory.
t
RC
t
RAS
t
RP
t
CSH
t
RCD
t
CRP
t
CAS
t
ASR
t
RAH
t
ASC
t
CAH
HIGH-Z
“H” or ”L”
ROW ADD
COLUMN ADD
t
WCR
t
WCS
t
WCH
t
DH
t
DS
VALID DATA IN
t
RSH
t
AR
t
DHR
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MB8116165A-70 | CMOS 1M ×16 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 1M ×16 位超級頁面存取模式動態(tài)RAM) |
| MB8116165B-50 | 1 M ×16 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 1 M ×16位超級頁面存取模式動態(tài)RAM) |
| MB8116165B-60 | 1 M ×16 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 1 M ×16位超級頁面存取模式動態(tài)RAM) |
| MB8116400A-50 | CMOS 4 M ×4 BIT Fast Page Mode DRAM(CMOS 4 M ×4 位快速頁面存取模式動態(tài)RAM) |
| MB8116400A-60 | CMOS 4 M ×4 BIT Fast Page Mode DRAM(CMOS 4 M ×4 位快速頁面存取模式動態(tài)RAM) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| MB8117800A-70 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:2 M X 8 BIT FAST PAGE MODE DYNAMIC RAM |
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| MB812.833 | 功能描述:ACCY MOUNT BMM 3/4 58A RoHS:是 類別:RF/IF 和 RFID >> RF配件 系列:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:* |
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