參數(shù)資料
型號： MB81V17805A-60
廠商： Fujitsu Limited
英文描述： CMOS 2M ×8 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 2M ×8 位超級頁面存取模式動態(tài)RAM)
中文描述： 的CMOS 200萬× 8位超頁模式動態(tài)RAM的CMOS（200萬× 8位超級頁面存取模式動態(tài)內(nèi)存）
文件頁數(shù)： 14/30頁
文件大?。?/td> 604K
代理商： MB81V17805A-60
14
MB81V17805A-60/-60L/-70/-70L
t
RC
t
RAS
t
RP
t
CSH
t
RCD
t
CRP
t
CAS
t
ASR
t
RAH
t
ASC
t
CAH
t
WCR
t
WCS
t
WCH
t
DH
t
DS
t
RSH
t
AR
t
DHR
DESCRIPTION
A write cycle is similar to a read cycle except WE is set to a Low state and OE is an “H” or “L” signal. A write cycle can be
implemented in either of three ways – early write, delayed write, or read-modify-write. During all write cycles, timing
parameters t
RWL
, t
CWL
, t
RAL
and t
CAL
must be satisfied. In the early write cycle shown above t
WCS
satisfied, data on the DQ
pins are latched with the falling edge of CAS and written into memory.
Fig. 6 – EARLY WRITE CYCLE
COLUMN ADD
ROW ADD
HIGH-Z
VALID DATA IN
RAS
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
CAS
WE
DQ
(Output)
A
0
to A
10
V
IH
V
IL
DQ
(Input)
“H” or “L” level (excluding Address and DQ)
“H” or “L” level, “H”
→
“L” or “L”
→
“H” transition (Address and DQ)
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PDF描述
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參數(shù)描述
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MB82101BBN 制造商:MURATA 制造商全稱:Murata Manufacturing Co., Ltd. 功能描述:HIGH FREQUENCY CERAMIC CAPACITORS
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