參數(shù)資料
型號(hào): MB81V17805A-60
廠商: Fujitsu Limited
英文描述: CMOS 2M ×8 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 2M ×8 位超級(jí)頁面存取模式動(dòng)態(tài)RAM)
中文描述: 的CMOS 200萬× 8位超頁模式動(dòng)態(tài)RAM的CMOS(200萬× 8位超級(jí)頁面存取模式動(dòng)態(tài)內(nèi)存)
文件頁數(shù): 15/30頁
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代理商: MB81V17805A-60
15
MB81V17805A-60/-60L/-70/-70L
t
RC
t
RAS
t
RCD
t
ASR
t
CAH
t
RCS
t
DZC
Invalid Data
t
RP
t
ASC
t
RAH
t
CWL
t
WP
t
DS
t
DH
t
OED
t
DZO
t
OEH
t
WCH
t
RWL
t
ON
t
ON
t
CSH
t
CAS
t
RSH
t
AR
t
CRP
t
OEZ
DESCRIPTION
In the delayed write cycle, t
WCS
is not satisfied; thus, the data on the DQ pins are latched with the falling edge of WE and written
into memory. The Output Enable (OE) signal must be changed from Low to High before WE goes Low (t
OED
+ t
T
+ t
DS
).
Fig. 7 – DELAYED WRITE CYCLE (OE CONTROLLED)
ROW
ADD
COL
ADD
HIGH-Z
HIGH-Z
VALID
DATA IN
RAS
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
CAS
WE
DQ
(Output)
A
0
to A
10
V
IH
V
IL
DQ
(Input)
V
IH
V
IL
OE
HIGH-Z
“H” or “L” level (excluding Address and DQ)
“H” or “L” level, “H”
“L” or “L”
“H” transition (Address and DQ)
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PDF描述
MB81V17805A-60L CMOS 2M ×8 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 2M ×8 位超級(jí)頁面存取模式動(dòng)態(tài)RAM)
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參數(shù)描述
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MB820 功能描述:ACCY MOUNT BMM 3/4 58A RoHS:是 類別:RF/IF 和 RFID >> RF配件 系列:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:*
MB-8210 制造商:Maxxtro 功能描述:Bulk
MB82101BAN 制造商:MURATA 制造商全稱:Murata Manufacturing Co., Ltd. 功能描述:HIGH FREQUENCY CERAMIC CAPACITORS
MB82101BBN 制造商:MURATA 制造商全稱:Murata Manufacturing Co., Ltd. 功能描述:HIGH FREQUENCY CERAMIC CAPACITORS