參數(shù)資料
型號(hào)： MB81V17805B-50
廠商： Fujitsu Limited
英文描述： 2M ×8 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 2M ×8位超級(jí)頁面存取模式動(dòng)態(tài)RAM)
中文描述： 200萬× 8位超頁模式動(dòng)態(tài)RAM的CMOS（200萬× 8位超級(jí)頁面存取模式動(dòng)態(tài)內(nèi)存）
文件頁數(shù)： 21/29頁
文件大小： 557K
代理商： MB81V17805B-50
21
MB81V17805B-50/-60
VALID
DATA IN
VALID
DATA IN
COLUMN
ADDRESS
COL
ADD
ROW
ADDRESS
HIGH-Z
DESCRIPTION
The hyper page mode delayed write cycle is executed in the same manner as the hyper page mode early write cycle except for the
states of WE and OE. Input data on the DQ pins are latched on the falling edge of WE and written into memory. In the hyper page
mode delayed write cycle, OE must be changed from Low to High before WE goes Low (t
OED
+ t
T
+ t
DS
).
Fig. 13 – HYPER PAGE MODE DELAYED WRITE CYCLE
Invalid Data
“H” or “L” level (excluding Address and DQ)
“H” or “L” level, “H
→
L” or “L
→
H” transition (Address and DQ)
A
0
to A
10
V
IH
V
IL
RAS
V
IH
V
IL
CAS
V
IH
V
IL
WE
V
IH
V
IL
DQ
(Output)
V
OH
V
OL
DQ
(Input)
V
IH
V
IL
OE
V
IH
V
IL
t
ASC
t
RASP
t
CSH
t
RP
t
RSH
t
CAH
t
CWL
t
ASC
t
CAH
t
CAS
t
AR
t
CP
t
RAH
t
RCS
t
CWL
t
WP
t
RWL
t
ASR
t
CRP
t
WCH
t
WCH
t
RCD
t
CAS
t
HPC
t
WP
t
OEH
t
DS
t
DH
t
ON
t
OED
t
OED
t
ON
t
OEH
t
DS
t
DH
t
OEZ
t
OEZ
t
ON
t
DZO
t
ON
t
DZC
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PDF描述
MB81V17805B-60 2M ×8 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 2M ×8位超級(jí)頁面存取模式動(dòng)態(tài)RAM)
MB81V18160A-70 CMOS 1M ×16 BIT Fast Page Mode Dynamic RAM(CMOS 1M ×16 位快速頁面存取模式動(dòng)態(tài)RAM)
MB81V18160A-70L CMOS 1M ×16 BIT Fast Page Mode Dynamic RAM(CMOS 1M ×16 位快速頁面存取模式動(dòng)態(tài)RAM)
MB81V18165A-70 CMOS 1M ×16 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 1M ×16位超級(jí)頁面存取模式動(dòng)態(tài)RAM)
MB81V18165A-70L CMOS 1M ×16 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 1M ×16位超級(jí)頁面存取模式動(dòng)態(tài)RAM)
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參數(shù)描述
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MB-8210 制造商:Maxxtro 功能描述:Bulk
MB82101BAN 制造商:MURATA 制造商全稱:Murata Manufacturing Co., Ltd. 功能描述:HIGH FREQUENCY CERAMIC CAPACITORS
MB82101BBN 制造商:MURATA 制造商全稱:Murata Manufacturing Co., Ltd. 功能描述:HIGH FREQUENCY CERAMIC CAPACITORS
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