參數(shù)資料
型號： MB81V18160A-70L
廠商： Fujitsu Limited
英文描述： CMOS 1M ×16 BIT Fast Page Mode Dynamic RAM(CMOS 1M ×16 位快速頁面存取模式動態(tài)RAM)
中文描述： 的CMOS 100萬× 16位快速頁面模式動態(tài)RAM的CMOS（100萬× 16位快速頁面存取模式動態(tài)內(nèi)存）
文件頁數(shù)： 12/25頁
文件大?。?/td> 579K
代理商： MB81V18160A-70L
12
MB81V18160A-60/60L/-70/70L
Fig. 6 – EARLY WRITE CYCLE (OE = “H” or “L”)
DESCRIPTION
A write cycle is similar to a read cycle except WE is set to a Low state and OE is an “H” or “L” signal. A write cycle can be implemented
in either of three ways – early write, delayed write, or read-modify-write. During all write cycles, timing parameters t
RWL
, t
CWL
, t
RAL
and
t
CAL
must be satisfied. In the early write cycle shown above t
WCS
satisfied, data on the DQ pins are latched with the falling edge of LCAS
or UCAS and written into memory.
RAS
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
A
0
to A
9
t
RC
WE
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
DQ
(Output)
V
OH
V
OL
t
RAS
t
RP
t
CSH
t
RCD
t
CRP
t
CAS
t
ASR
t
RAH
t
ASC
t
CAH
HIGH-Z
DQ
(Input)
ROW ADD
COLUMN ADD
t
WCR
t
WCS
t
WCH
t
DH
t
DS
VALID DATA IN
LCAS
or
UCAS
t
RSH
t
AR
t
DHR
“H” or “L” level (excluding Address and DQ)
“H” or “L” level, “H”
→
“L” or “L”
→
“H” transition (Address and DQ)
相關PDF資料
PDF描述
MB81V18165A-70 CMOS 1M ×16 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 1M ×16位超級頁面存取模式動態(tài)RAM)
MB81V18165A-70L CMOS 1M ×16 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 1M ×16位超級頁面存取模式動態(tài)RAM)
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參數(shù)描述
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