參數(shù)資料
型號： MB81V18160A-70L
廠商： Fujitsu Limited
英文描述： CMOS 1M ×16 BIT Fast Page Mode Dynamic RAM(CMOS 1M ×16 位快速頁面存取模式動態(tài)RAM)
中文描述： 的CMOS 100萬× 16位快速頁面模式動態(tài)RAM的CMOS（100萬× 16位快速頁面存取模式動態(tài)內(nèi)存）
文件頁數(shù)： 13/25頁
文件大小： 579K
代理商： MB81V18160A-70L
13
MB81V18160A-60/60L/-70/70L
Fig. 7 – DELAYED WRITE CYCLE
DESCRIPTION
In the delayed write cycle, t
WCS
is not satisfied; thus, the data on the DQ pins is latched with the falling edge of WE and written into
memory. The Output Enable (OE) signal must be changed from Low to High before WE goes Low (t
OED
+ t
T
+ t
DS
).
RAS
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
A
0
to A
9
t
RC
WE
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
DQ
(Input)
V
OH
V
OL
OE
V
IH
V
IL
t
RAS
t
CAS
t
RCD
t
ASR
t
CAH
t
RCS
t
DZC
DQ
(Output)
t
CSH
t
RP
t
ASC
t
RAH
t
CWL
t
WP
t
DS
t
DH
t
OED
t
DZO
t
OEH
ROW
ADD
COL
ADD
VALID
DATA IN
LCAS
or
UCAS
t
RSH
t
WCH
t
RWL
HIGH-Z
HIGH-Z
HIGH-Z
t
ON
t
ON
t
AR
t
CRP
t
OEZ
Invalid Data
“H” or “L” level (excluding Address and DQ)
“H” or “L” level, “H”
→
“L” or “L”
→
“H” transition (Address and DQ)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MB81V18165A-70 CMOS 1M ×16 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 1M ×16位超級頁面存取模式動態(tài)RAM)
MB81V18165A-70L CMOS 1M ×16 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 1M ×16位超級頁面存取模式動態(tài)RAM)
MB81V18165B-50 1 M ×16 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 1 M ×16位超級頁面存取模式動態(tài)RAM)
MB81V18165B-60 1 M ×16 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 1 M ×16位超級頁面存取模式動態(tài)RAM)
MB81V4100C-60 CMOS 4 M ×1 BIT Fast Page Mode DRAM(CMOS 4 M ×1 位快速頁面存取模式動態(tài)RAM)
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參數(shù)描述
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MB82101BAN 制造商:MURATA 制造商全稱:Murata Manufacturing Co., Ltd. 功能描述:HIGH FREQUENCY CERAMIC CAPACITORS
MB82101BBN 制造商:MURATA 制造商全稱:Murata Manufacturing Co., Ltd. 功能描述:HIGH FREQUENCY CERAMIC CAPACITORS
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