參數(shù)資料
型號(hào): MB81V18160A-70L
廠商: Fujitsu Limited
英文描述: CMOS 1M ×16 BIT Fast Page Mode Dynamic RAM(CMOS 1M ×16 位快速頁(yè)面存取模式動(dòng)態(tài)RAM)
中文描述: 的CMOS 100萬(wàn)× 16位快速頁(yè)面模式動(dòng)態(tài)RAM的CMOS(100萬(wàn)× 16位快速頁(yè)面存取模式動(dòng)態(tài)內(nèi)存)
文件頁(yè)數(shù): 13/25頁(yè)
文件大小: 579K
代理商: MB81V18160A-70L
13
MB81V18160A-60/60L/-70/70L
Fig. 7 – DELAYED WRITE CYCLE
DESCRIPTION
In the delayed write cycle, t
WCS
is not satisfied; thus, the data on the DQ pins is latched with the falling edge of WE and written into
OED
+ t
T
+ t
DS
).
RAS
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
A
0
to A
9
t
RC
WE
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
DQ
(Input)
V
OH
V
OL
OE
V
IH
V
IL
t
RAS
t
CAS
t
RCD
t
ASR
t
CAH
t
RCS
t
DZC
DQ
(Output)
t
CSH
t
RP
t
ASC
t
RAH
t
CWL
t
WP
t
DS
t
DH
t
OED
t
DZO
t
OEH
ROW
ADD
COL
ADD
VALID
DATA IN
LCAS
or
UCAS
t
RSH
t
WCH
t
RWL
HIGH-Z
HIGH-Z
HIGH-Z
t
ON
t
ON
t
AR
t
CRP
t
OEZ
Invalid Data
“H” or “L” level (excluding Address and DQ)
“H” or “L” level, “H”
“L” or “L”
“H” transition (Address and DQ)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MB81V18165A-70 CMOS 1M ×16 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 1M ×16位超級(jí)頁(yè)面存取模式動(dòng)態(tài)RAM)
MB81V18165A-70L CMOS 1M ×16 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 1M ×16位超級(jí)頁(yè)面存取模式動(dòng)態(tài)RAM)
MB81V18165B-50 1 M ×16 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 1 M ×16位超級(jí)頁(yè)面存取模式動(dòng)態(tài)RAM)
MB81V18165B-60 1 M ×16 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 1 M ×16位超級(jí)頁(yè)面存取模式動(dòng)態(tài)RAM)
MB81V4100C-60 CMOS 4 M ×1 BIT Fast Page Mode DRAM(CMOS 4 M ×1 位快速頁(yè)面存取模式動(dòng)態(tài)RAM)
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參數(shù)描述
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MB820 功能描述:ACCY MOUNT BMM 3/4 58A RoHS:是 類別:RF/IF 和 RFID >> RF配件 系列:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:*
MB-8210 制造商:Maxxtro 功能描述:Bulk
MB82101BAN 制造商:MURATA 制造商全稱:Murata Manufacturing Co., Ltd. 功能描述:HIGH FREQUENCY CERAMIC CAPACITORS
MB82101BBN 制造商:MURATA 制造商全稱:Murata Manufacturing Co., Ltd. 功能描述:HIGH FREQUENCY CERAMIC CAPACITORS