參數(shù)資料
型號： MB81V4100C-60
廠商： Fujitsu Limited
英文描述： CMOS 4 M ×1 BIT Fast Page Mode DRAM(CMOS 4 M ×1 位快速頁面存取模式動態(tài)RAM)
中文描述： 的CMOS 4米× 1位快速頁面模式的DRAM（的CMOS 4米× 1位快速頁面存取模式動態(tài)內(nèi)存）
文件頁數(shù)： 12/23頁
文件大?。?/td> 397K
代理商： MB81V4100C-60
12
MB81V4100C-60/MB81V4100C-70
Fig. 6 – WRITE CYCLE (Early Write)
“H” or “L”
DESCRIPTION
The write cycle is executed by the same manner as read cycle except for the state of WE and D
IN
pins. The data on D
IN
pin is
latched with the later falling edge of CAS or WE and written into memory. In addition, during write cycle, t
RWL
and t
RAL
must be
satisfied with the specifications.
ROW
ADD
VALID
DATA IN
COLUMN
ADD
HIGH-Z
t
ASC
t
RAH
t
ASR
t
WCS
t
CAH
t
DS
RAS
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
CAS
WE
D
OUT
A
0
to A
10
D
IN
V
IH
V
IL
t
RC
t
RAS
t
CSH
t
RSH
t
CAS
t
RCD
t
CRP
t
RAD
t
CAL
t
RAL
t
WCH
t
DH
t
RP
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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